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NESG2021M16-A中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
NESG2021M16-A |
| 功能描述 | NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION 6-PIN LEAD-LESS MINIMOLD (M16, 1208 PKG) |
| 文件大小 |
120.23 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
12 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Renesas Electronics America |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
NEC【瑞薩】 |
| 中文名稱 | 日本瑞薩電子株式會(huì)社官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-5-29 13:31:00 |
| 人工找貨 | NESG2021M16-A價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
NESG2021M16-A規(guī)格書詳情
NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR
LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION
6-PIN LEAD-LESS MINIMOLD (M16, 1208 PKG)
FEATURES
? The device is an ideal choice for low noise, high-gain at low current amplifications
NF = 0.9 dB TYP., Ga = 18.0 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz
NF = 1.3 dB TYP., Ga = 10.0 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 3 mA, f = 5.2 GHz
? Maximum stable power gain: MSG = 22.5 dB TYP. @ VCE = 3 V, IC = 10 mA, f = 2 GHz
? High breakdown voltage technology for SiGe Tr. adopted: VCEO (absolute maximum ratings) = 5.0 V
? 6-pin lead-less minimold (M16, 1208 PKG)
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
NESG2021M16-A
- 功能描述：
射頻硅鍺晶體管 NPN High Frequency
- RoHS：
否
- 制造商：
Infineon Technologies 發(fā)射極 - 基極電壓
- 封裝：
Reel
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
1742+ |
SOT343 |
98215 |
只要網(wǎng)上有絕對(duì)有貨!只做原裝正品! |
詢價(jià) | ||
RENESAS/瑞薩 |
24+ |
SOT343 |
60000 |
詢價(jià) | |||
RENESAS/瑞薩 |
24+ |
NA/ |
9920 |
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價(jià) | ||
NEC |
24+ |
SOT-343 |
9600 |
原裝現(xiàn)貨,優(yōu)勢(shì)供應(yīng),支持實(shí)單! |
詢價(jià) | ||
NEC |
23+ |
SOT-343 |
8560 |
受權(quán)代理!全新原裝現(xiàn)貨特價(jià)熱賣! |
詢價(jià) | ||
RENESAS |
20+ |
6-PINM |
5427 |
進(jìn)口原裝現(xiàn)貨,假一賠十 |
詢價(jià) | ||
RENESAS |
23+ |
6-PINM |
5427 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價(jià) | ||
NEC |
6000 |
面議 |
19 |
DIP/SMD |
詢價(jià) | ||
CEL |
2025+ |
SOT-343 |
7695 |
全新原廠原裝產(chǎn)品、公司現(xiàn)貨銷售 |
詢價(jià) | ||
NEC |
23+ |
SOT-343 |
50000 |
原裝正品 支持實(shí)單 |
詢價(jià) |
