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NESG2021M16-A中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

NESG2021M16-A
廠商型號(hào)

NESG2021M16-A

功能描述

NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION 6-PIN LEAD-LESS MINIMOLD (M16, 1208 PKG)

文件大小

120.23 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

12 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Renesas Electronics America
企業(yè)簡(jiǎn)稱

NEC瑞薩

中文名稱

日本瑞薩電子株式會(huì)社官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-29 13:31:00

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NESG2021M16-A規(guī)格書詳情

NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR

LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION

6-PIN LEAD-LESS MINIMOLD (M16, 1208 PKG)

FEATURES

? The device is an ideal choice for low noise, high-gain at low current amplifications

NF = 0.9 dB TYP., Ga = 18.0 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz

NF = 1.3 dB TYP., Ga = 10.0 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 3 mA, f = 5.2 GHz

? Maximum stable power gain: MSG = 22.5 dB TYP. @ VCE = 3 V, IC = 10 mA, f = 2 GHz

? High breakdown voltage technology for SiGe Tr. adopted: VCEO (absolute maximum ratings) = 5.0 V

? 6-pin lead-less minimold (M16, 1208 PKG)

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    NESG2021M16-A

  • 功能描述:

    射頻硅鍺晶體管 NPN High Frequency

  • RoHS:

  • 制造商:

    Infineon Technologies 發(fā)射極 - 基極電壓

  • 封裝:

    Reel

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
NEC
1742+
SOT343
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RENESAS/瑞薩
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RENESAS
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NEC
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DIP/SMD
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SOT-343
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SOT-343
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原裝正品 支持實(shí)單
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