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11AA02E64T-I/TT集成電路（IC）的存儲器規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
11AA02E64T-I/TT |
| 參數(shù)屬性 | 11AA02E64T-I/TT 封裝/外殼為TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為集成電路（IC）的存儲器；產(chǎn)品描述：IC EEPROM 2KBIT SGL WIRE SOT23 |
| 功能描述 | 2K UNI/O? Serial EEPROMs with EUI-48??or EUI-64??Node Identity |
| 封裝外殼 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 文件大小 |
494.45 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
32 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Microchip Technology |
| 企業(yè)簡稱 |
Microchip【微芯科技】 |
| 中文名稱 | 微芯科技股份有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-5-21 10:43:00 |
| 人工找貨 | 11AA02E64T-I/TT價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
11AA02E64T-I/TT規(guī)格書詳情
11AA02E64T-I/TT屬于集成電路（IC）的存儲器。由微芯科技股份有限公司制造生產(chǎn)的11AA02E64T-I/TT存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
11AA02E64T-I/TT
- 制造商：
Microchip Technology
- 類別：
集成電路（IC） > 存儲器
- 包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 存儲器類型：
非易失
- 存儲器格式：
EEPROM
- 技術(shù)：
EEPROM
- 存儲容量：
2Kb（256 x 8）
- 存儲器接口：
單線
- 寫周期時間 - 字，頁：
5ms
- 電壓 - 供電：
1.8V ~ 5.5V
- 工作溫度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
SOT-23-3
- 描述：
IC EEPROM 2KBIT SGL WIRE SOT23
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MICROCHIP(美國微芯) |
24+ |
SOT233 |
7350 |
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詢價 | ||
MROCHIP/微芯 |
24+ |
NA/ |
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詢價 | ||
Microchip |
22+ |
8SOIC |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
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Microchip |
21+ |
8SOIC |
13880 |
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Microchip |
1940+ |
N/A |
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MICROCHIP/微芯 |
2406+ |
33600 |
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Microchip |
25+ |
SOT23-3 |
16000 |
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Microchip |
18000 |
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詢價 | ||||
Microchip |
22+ |
NA |
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MICROCHIP/微芯 |
23+ |
SOT-23-3 |
10000 |
公司只做原裝，可來電咨詢 |
詢價 |
