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Marking：2D；Package：SOT-23；PNP High Voltage Amplifier PNPHighVoltageAmplifier Thisdeviceisdesignedforhighvoltagedriverapplications. SourcedfromProcess76. | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司 | Fairchild | ||
Marking：2D；Package：SOT-23；PNP High Voltage Amplifier FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction.Pb ●ComplementaryNPNtypeavailable(MMBTA42). ●Idealformediumpoweramplificationandswitching. | BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 銀河微電常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司 | BILIN | ||
Marking：2D；Package：SOT-23；Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Highvoltagetransistor | GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣電子唯圣電子有限公司 | GWSEMI | ||
Marking：2D；Package：SOT-23；Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES ?Highvoltagetransistor ?-CARforautomotiveandotherapplicationsrequiringunique siteandcontrolchangerequirements;AEC-Q101qualifiedand PPAPcapable | GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣電子唯圣電子有限公司 | GWSEMI | ||
Marking：2D；Package：SOT-323；TRANSISTOR(PNP) FEATURES Highvoltagetransistor | GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣電子唯圣電子有限公司 | GWSEMI | ||
Marking：2D；Package：SC-88A；LOW POWER SINGLE CHANNEL OP-AMPS ■FEATURES(V+=5V,V-=0V,Ta=25°C) ●GuaranteedTemperature-40℃to125℃ ●InputOffsetVoltage2mVmax. ●InputOffsetVoltageDrift17μV/℃max. ●SupplyCurrent0.7mAmax. ●OperatingVoltage3Vto36Vor±1.5Vto±18V ●IntegratedEMIfilterEMIRR=84dBtyp.@f=1.8GHz ●GBW1.1MHztyp. ●GNDsens | NJRCNew Japan Radio 新日本無線株式會(huì)社 | NJRC | ||
Marking：2D；Package：DFN2020-6；30 V, 1 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistor 1.Generaldescription NPN/NPNlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaleadless mediumpowerDFN2020-6(SOT1118)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPN/PNPcomplement:PBSS4130PANP.PNP/PNPcomplement:PBSS5130PAP. 2.Featuresandbenefits ?Verylowcollec | NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司 | NEXPERIA | ||
Marking：2D；Package：SOT23；PNP high-voltage transistor 1.Generaldescription PNPhigh-voltagetransistorinasmallSOT23Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PMBTA42 2.Featuresandbenefits ?Lowcurrent(max.100mA) ?Highvoltage(max.300V) 3.Applications ?Telephony ?Professionalcommunicationequipment | NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司 | NEXPERIA | ||
Marking：2D；Package：SOT23；PNP high-voltage transistor 1.Generaldescription PNPhigh-voltagetransistorinasmallSOT23(TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plastic package. NPNcomplement:PMBTA42-Q 2.Featuresandbenefits ?Lowcurrent(max.100mA) ?Highvoltage(max.300V) ?QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecommendedforuse | NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司 | NEXPERIA | ||
Marking：2D；Package：SC-70；PNP high-voltage transistor 1.Generaldescription PNPhigh-voltagetransistorinaverysmallSOT323(SC-70)Surface-MountedDevice(SMD) plasticpackage. NPNcomplement:PMSTA42 2.Featuresandbenefits ?Verysmallpackage ?Highvoltage ?AEC-Q101qualified 3.Applications ?Primarilyintendedforuseintel | NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司 | NEXPERIA |
晶體管資料
- 型號(hào)：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性質(zhì)：
表面帖裝型 （SMD）_通用型 （Uni）_低噪放大 （ra
- 封裝形式：
貼片封裝
- 極限工作電壓：
30V
- 最大電流允許值：
0.1A
- 最大工作頻率：
300MHZ
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號(hào)：
BC849,
- 最大耗散功率：
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號(hào)：
H-15
- vtest：
30
- htest：
300000000
- atest：
0.1
- wtest：
0
詳細(xì)參數(shù)
- 型號(hào)：
2D
- 制造商：
OSRAM
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
SOT-23 |
15000 |
全新原裝現(xiàn)貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì) |
詢價(jià) | ||
YXYBDT/一芯源 |
20+21+ |
SOT-23 |
60000 |
原.現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
14+ |
SOT-23 |
5600 |
普通 |
詢價(jià) | |||
XX |
23+ |
SOT-236 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價(jià) | ||
XX |
24+ |
NA/ |
6000 |
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價(jià) | ||
MPS/美國(guó)芯源 |
22+ |
QFN |
25000 |
只做原裝,原裝,假一罰十 |
詢價(jià) | ||
2022+ |
93 |
全新原裝 貨期兩周 |
詢價(jià) | ||||
UNIOHM/厚聲 |
24+ |
0402 |
175 |
大批量供應(yīng)優(yōu)勢(shì)庫(kù)存熱賣 |
詢價(jià) | ||
0805 |
63200 |
詢價(jià) | |||||
YAGEO |
2022+ |
7600 |
原廠原裝,假一罰十 |
詢價(jià) |
