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零件編號(hào)	下載訂購	功能描述/絲印	制造商上傳企業(yè)	LOGO
2SD1664	文件：118.74 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconGeneralPurposeTransistor Features Powerdissipation PCM:0.5W(Tamb=25oC) Collectorcurrent ICM:1A Collector-basevoltage V(BR)CBO:40V Operating&StoragejunctionTemperature Tj,Tstg:-55C~+150COO	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SD1664	文件：365.37 Kbytes Page：3 Pages	MediumPowerTransistor Features LowVCE(sat) Complimentsto2SB1132	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
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2SD1664	文件：188.38 Kbytes Page：3 Pages	MEDIUMPOWERNPNTRANSISTOR MEDIUMPOWERNPNTRANSISTOR DESCRIPTION TheUTC2SD1664isanepitaxialplanartypeNPNsilicontransistor. FEATURES LowVCE(SAT):VCE(SAT)=0.15V(Typ.) (IC/IB=500mA/50mA) Complementthe2SB1132.	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
2SD1664	文件：118.61 Kbytes Page：3 Pages	MediumPowerTransistor(32V,1A) MediumPowerTransistor(32V,1A) Features 1)LowVCE(sat)=0.15V(Typ.) (lC/lB=500mA/50mA) 2)Compliments2SB1132/2SB1237	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM
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2SD1664	文件：798.95 Kbytes Page：2 Pages	NPNEpitaxialPlanarSiliconTransistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司	MCC
2SD1664	文件：1.64261 Mbytes Page：4 Pages	SOT-89-3LPlastic-EncapsulateTransistors	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長電科技江蘇長電科技股份有限公司	JIANGSU
2SD1664	文件：496.35 Kbytes Page：4 Pages	MediumPowerTransistor(32V,1A) FEATURES Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=0.15V(typ.) (IC/iB=500mA/50mA) PC=0.5W Complementthe2SB1132. APPLICATIONS NPNsilicontransistor.	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶電子東莞市南晶電子有限公司	DGNJDZ
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制造商上傳企業(yè)

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NPNSiliconGeneralPurposeTransistor

Features Powerdissipation PCM:0.5W(Tamb=25oC) Collectorcurrent ICM:1A Collector-basevoltage V(BR)CBO:40V Operating&StoragejunctionTemperature Tj,Tstg:-55C~+150COO

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

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MediumPowerTransistor

Features LowVCE(sat) Complimentsto2SB1132

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司

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ROHMRohm

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MEDIUMPOWERNPNTRANSISTOR

MEDIUMPOWERNPNTRANSISTOR DESCRIPTION TheUTC2SD1664isanepitaxialplanartypeNPNsilicontransistor. FEATURES *LowVCE(SAT):VCE(SAT)=0.15V(Typ.) (IC/IB=500mA/50mA) *Complementthe2SB1132.

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

UTC

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MediumPowerTransistor(32V,1A)

MediumPowerTransistor(32V,1A) Features 1)LowVCE(sat)=0.15V(Typ.) (lC/lB=500mA/50mA) 2)Compliments2SB1132/2SB1237

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

ROHM

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銀河微電常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司

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MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司

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SOT-89-3LPlastic-EncapsulateTransistors

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

長電科技江蘇長電科技股份有限公司

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MediumPowerTransistor(32V,1A)

FEATURES Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=0.15V(typ.) (IC/iB=500mA/50mA) PC=0.5W Complementthe2SB1132. APPLICATIONS NPNsilicontransistor.

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

DGNJDZ

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GENERALPURPOSETRANSISTORNPNSILICONEPITAXIALMEDIUMPOWERTRANSISTOR

AITSEMIAiT Semiconductor Inc.

創(chuàng)瑞科技AiT創(chuàng)瑞科技

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供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
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