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ADPA1106ACGZN	文件：1.23752 Mbytes Page：19 Pages	46dBm(40W),2.7GHzto3.5GHz,GaNPowerAmplifier GENERALDESCRIPTION TheADPA1106isagalliumnitride(GaN),broadbandpoweramplifier thatdelivers46dBm(40W)with56typicalpoweradded efficiency(PAE)acrossabandwidthof2.7GHzto3.1GHz.The ADPA1106hasagainflatnessof±0.15dBacrossthe2.7GHzto 3.1GHzfrequencyrange.	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
ADPA1106-EVALZ	文件：1.23752 Mbytes Page：19 Pages	46dBm(40W),2.7GHzto3.5GHz,GaNPowerAmplifier GENERALDESCRIPTION TheADPA1106isagalliumnitride(GaN),broadbandpoweramplifier thatdelivers46dBm(40W)with56typicalpoweradded efficiency(PAE)acrossabandwidthof2.7GHzto3.1GHz.The ADPA1106hasagainflatnessof±0.15dBacrossthe2.7GHzto 3.1GHzfrequencyrange.	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
ALD1106	文件：34.27 Kbytes Page：4 Pages	QUAD/DUALN-CHANNELMATCHEDMOSFETARRAY GENERALDESCRIPTION TheALD1106/ALD1116aremonolithicquad/dualN-channelenhancementmodematchedMOSFETtransistorarraysintendedforabroadrangeofprecisionanalogapplications. FEATURES ?Lowthresholdvoltageof0.7V ?Lowinputcapacitance ?LowVos2mVtypical ?Highinputimpeda	ALD Advanced Linear Devices	ALD
ALD1106	文件：82.82 Kbytes Page：9 Pages	QUAD/DUALN-CHANNELMATCHEDPAIRMOSFETARRAY GENERALDESCRIPTION TheALD1106/ALD1116aremonolithicquad/dualN-channelenhancement modematchedMOSFETtransistorarraysintendedforabroad rangeofprecisionanalogapplications.TheALD1106/ALD1116offer highinputimpedanceandnegativecurrenttemperaturecoefficient.The transistor	ADL ADL Embedded Solutions	ADL
ALD1106	文件：106.16 Kbytes Page：11 Pages	QUAD/DUALN-CHANNELMATCHEDPAIRMOSFETARRAY GENERALDESCRIPTION TheALD1106/ALD1116aremonolithicquad/dualN-channelenhancement modematchedMOSFETtransistorarraysintendedforabroadrange ofprecisionanalogapplications.TheALD1106/ALD1116offerhighinput impedanceandnegativecurrenttemperaturecoefficient.Thetransistor	ALD Advanced Linear Devices	ALD
ALD1106DB	文件：34.27 Kbytes Page：4 Pages	QUAD/DUALN-CHANNELMATCHEDMOSFETARRAY GENERALDESCRIPTION TheALD1106/ALD1116aremonolithicquad/dualN-channelenhancementmodematchedMOSFETtransistorarraysintendedforabroadrangeofprecisionanalogapplications. FEATURES ?Lowthresholdvoltageof0.7V ?Lowinputcapacitance ?LowVos2mVtypical ?Highinputimpeda	ALD Advanced Linear Devices	ALD
ALD1106DB	文件：124.27 Kbytes Page：11 Pages	QUAD/DUALN-CHANNELMATCHEDPAIRMOSFETARRAY	ALD Advanced Linear Devices	ALD
ALD1106PB	文件：34.27 Kbytes Page：4 Pages	QUAD/DUALN-CHANNELMATCHEDMOSFETARRAY GENERALDESCRIPTION TheALD1106/ALD1116aremonolithicquad/dualN-channelenhancementmodematchedMOSFETtransistorarraysintendedforabroadrangeofprecisionanalogapplications. FEATURES ?Lowthresholdvoltageof0.7V ?Lowinputcapacitance ?LowVos2mVtypical ?Highinputimpeda	ALD Advanced Linear Devices	ALD
ALD1106PBL	文件：124.27 Kbytes Page：11 Pages	QUAD/DUALN-CHANNELMATCHEDPAIRMOSFETARRAY	ALD Advanced Linear Devices	ALD
ALD1106PBL	文件：82.82 Kbytes Page：9 Pages	QUAD/DUALN-CHANNELMATCHEDPAIRMOSFETARRAY GENERALDESCRIPTION TheALD1106/ALD1116aremonolithicquad/dualN-channelenhancement modematchedMOSFETtransistorarraysintendedforabroad rangeofprecisionanalogapplications.TheALD1106/ALD1116offer highinputimpedanceandnegativecurrenttemperaturecoefficient.The transistor	ADL ADL Embedded Solutions	ADL

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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號(hào)：
A1106ELHLT-T
制造商：
Allegro MicroSystems
類別：
傳感器，變送器 > 磁性傳感器 - 開關(guān)（固態(tài)）
包裝：
散裝
功能：
單極開關(guān)
技術(shù)：
霍爾效應(yīng)
極化：
南極
感應(yīng)范圍：
43mT 跳閘，16mT 釋放
測(cè)試條件：
-40°C ~ 85°C
電壓 - 供電：
3.8V ~ 24V
電流 - 供電（最大值）：
7.5mA
電流 - 輸出（最大值）：
25mA
輸出類型：
開路漏極
工作溫度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型：
表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝：
SOT-23W
封裝/外殼：
SOT-23W
描述：
MAGNETIC SWITCH UNIPOLAR SOT23W

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市粵科源興科技有限公司	A1106ELHLT-T	ALLEGRO	15/16+	SOT23	10000	100%進(jìn)口原裝正品,價(jià)格優(yōu)勢(shì)	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	A1106ELHLT-T	ALLEGROMICROSYSTEMSINC	24+		1112		詢價(jià)
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