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零件編號	下載訂購	功能描述/絲印	制造商上傳企業(yè)	LOGO
NC7S04L6X	文件：156.34 Kbytes Page：8 Pages	Marking：AA；Package：SOT-886；TinyLogic HS Inverter GeneralDescription TheNC7S04isasinglehighperformanceCMOSInverter.AdvancedSiliconGateCMOSfabricationassureshighspeedandlowpowercircuitoperationoverabroadVCCrange.ESDprotectiondiodesinherentlyguardbothinputandoutputwithrespecttotheVCCandGNDrails.Threest	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
NC7S04L6X-L22175	文件：302.18 Kbytes Page：9 Pages	Marking：AA；Package：SIP6；TinyLogic HS Inverter Description TheNC7S04isasinglehighperformanceCMOSInverter. AdvancedSiliconGateCMOSfabricationassureshighspeedandlow powercircuitoperationoverabroadVCCrange.ESDprotection diodesinherentlyguardbothinputandoutputwithrespecttotheVCC andGNDrails.Threestages	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NCP189CMTW120TAG	文件：346.19 Kbytes Page：12 Pages	Marking：AA；Package：WDFNW6；LDO Regulator, 0.5 A, High Accuracy (0.7), Adjustable, Low Noise, High PSRR with Power Good TheNCP189isa0.5ALDO,nextgenerationofhighPSRR,low noiseandlowdropoutregulatorswithPowerGoodopencollector output.DesignedtomeettherequirementsofRFandsensitiveanalog circuits,theNCP189deviceprovideslownoise,highPSRRandlow quiescentcurrentwhileofferingt	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NL17SZ00DBVT1G	文件：160.68 Kbytes Page：13 Pages	Marking：AA；Package：SC-74A；Single 2-Input NAND Gate TheNL17SZ00isasingle2?inputNANDGateintinyfootprint packages. Features ?Designedfor1.65Vto5.5VVCCOperation ?2.4nstPDatVCC=5V(typ) ?Inputs/OutputsOvervoltageTolerantupto5.5V ?IOFFSupportsPartialPowerDownProtection ?Source/Sink24mAat3.0V ?Avai	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NVLJS053N12MCLTAG	文件：260.37 Kbytes Page：7 Pages	Marking：AA；Package：UDFN6；MOSFET - Power, Single N-Channel, Shielded Gate, PowerTrench 120 V, 53 m, 4.8 A Features ?ShieldedGateMOSFETTechnology ?50LowerQrrthanOtherMOSFETSuppliers ?LowersSwitchingNoise/EMI ?LowProfile?0.5mmMaximuminMicroFET2x2mm ?100UILTested ?AEC?Q101QualifiedandPPAPCapable ?TheseDevicesarePb?FreeandareRoHSCompliant TypicalApplicati	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NX3008NBKT	文件：1.15579 Mbytes Page：17 Pages	Marking：AA；Package：SOT416；30 V, 350 mA N-channel Trench MOSFET 1.1Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inasmallSOT416(SC-75) Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 1.2Featuresandbenefits ?Veryfastswitching ?Lowthresholdvoltage ?TrenchMOSFETtechnology ?ESDpr	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
NX3008NBKV	文件：252.14 Kbytes Page：14 Pages	Marking：AA；Package：SOT666；30 V, 400 mA dual N-channel Trench MOSFET 1.Generaldescription DualN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inanultrasmallandflatlead SOT666Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits ?Veryfastswitching ?Lowthresholdvoltage ?TrenchMOSFETtech	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
PBSS5620PA	文件：290.64 Kbytes Page：16 Pages	Marking：AA；Package：HUSON3；20 V, 6 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Generaldescription PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistor,encapsulatedinanultrathinSOT1061leadlesssmallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackagewithmediumpowercapability. NPNcomplement:PBSS4620PA. Featuresandbenefits ■Lowcollector-emittersaturatio	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
PDTC144VT	文件：260.98 Kbytes Page：12 Pages	Marking：AA；Package：SOT23；NPN resistor-equipped transistors; R1 = 47 kΩ, R2 = 10 kΩ Features Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign Reducescomponentcount Reducespickandplacecosts	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
PESD5V0U1BA	文件：209.52 Kbytes Page：11 Pages	Marking：AA；Package：SOD323；Low capacitance bidirectional ESD protection diode 1.Generaldescription LowcapacitancebidirectionalElectroStaticDischarge(ESD)protectiondiodeinaverysmall SOD323(SC-76)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackagedesignedtoprotectonesignal linefromthedamagecausedbyESDandothertransients. 2.Featuresandbenefits ?Bi	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA

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晶體管資料

型號：
AA1A4M
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-N+R
性質(zhì)：
開關(guān)管（S）
封裝形式：
直插封裝
極限工作電壓：
60V
最大電流允許值：
0.1A
最大工作頻率：
<1MHZ或未知
引腳數(shù)：
3
可代換的型號：
DTC114ES,RN1002,UN4211,2SC3402,
最大耗散功率：
0.25W
放大倍數(shù)：
圖片代號：
A-20
vtest：
60
htest：
999900
atest：
0.1
wtest：
0.25

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
AA
制造商：
Excelta Corporation
類別：
工具 > 鑷子
包裝：
盒
尖頭 - 樣式：
尖頭
尖頭 - 類型：
適中型
尖頭 - 形狀：
直形
長度 - 總體：
5.00"（127.0mm）
材料：
炭鋼，銅，鍍鎳
描述：
TWEEZERS - 3 STAR STRAIGHT MEDIU

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更多AA供應(yīng)商更新時間2025-5-24 13:26:00

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