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CEM3115	文件：388.77 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -30V,-12A,RDS(ON)=12mW@VGS=-10V. RDS(ON)=16mW@VGS=-4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CPH3115	文件：54.66 Kbytes Page：5 Pages	DC/DCConverterApplications DC/DCConverterApplications Features ?AdoptionofMBITprocesses. ?Largecurrentcapacitance. ?Lowcollector-to-emittersaturationvoltage. ?High-speedswitching. ?Ultrasmall-sizedpackagepermittingappliedsetstobemadesmallandslim(mountingheight:0.9mm). ?Highallowablepo	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋電機株式會社	SANYO
CPH3115	文件：634.46 Kbytes Page：7 Pages	BipolarTransistor(-)30V,(-)1.5A,LowVCE(sat),(PNP)NPNSingleCPH3 Features ?AdoptionofMBITprocesses ?Largecurrentcapacity ?Lowcollector-to-emittersaturationvoltage ?High-speedswitching ?Ultrasmallpackagefacilitatesminiaturizationinendproducts(mountingheight:0.9mm) ?Highallowablepowerdissipation ?Halogenfreecompliance Applic	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
CPH3115-TL-E	文件：634.46 Kbytes Page：7 Pages	BipolarTransistor(-)30V,(-)1.5A,LowVCE(sat),(PNP)NPNSingleCPH3 Features ?AdoptionofMBITprocesses ?Largecurrentcapacity ?Lowcollector-to-emittersaturationvoltage ?High-speedswitching ?Ultrasmallpackagefacilitatesminiaturizationinendproducts(mountingheight:0.9mm) ?Highallowablepowerdissipation ?Halogenfreecompliance Applic	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
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CZRB3115	文件：66.41 Kbytes Page：3 Pages	SurfaceMountZenerDiodes	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
DMN3115UDM	文件：118.2 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR Description ThisnewgenerationMOSFEThasbeendesignedtominimizetheon-stateresistance(RDS(on))andyetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhighefficiencypowermanagementapplications. Features ?LowOn-Resistance ?VeryLowGateThresholdVoltage ?LowInput	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
EK-3115	文件：151.83 Kbytes Page：8 Pages	Electretcondensermicrophone-SupplyVoltagerange:0.9to10VDC	KNOWLESKnowles Electronics 樓氏電子樓氏電子(蘇州)有限公司	KNOWLES
EPC3115S-X	文件：39.82 Kbytes Page：1 Pages	Push-PullLowPowerTransformer	PCA PCA ELECTRONICS INC.	PCA
EPC3115S-X	文件：38.88 Kbytes Page：1 Pages	Push-PullLowPowerTransformer	PCA PCA ELECTRONICS INC.	PCA

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P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES -30V,-12A,RDS(ON)=12mW@VGS=-10V. RDS(ON)=16mW@VGS=-4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. RoHScompliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

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DC/DCConverterApplications Features ?AdoptionofMBITprocesses. ?Largecurrentcapacitance. ?Lowcollector-to-emittersaturationvoltage. ?High-speedswitching. ?Ultrasmall-sizedpackagepermittingappliedsetstobemadesmallandslim(mountingheight:0.9mm). ?Highallowablepo

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋電機株式會社

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Features ?AdoptionofMBITprocesses ?Largecurrentcapacity ?Lowcollector-to-emittersaturationvoltage ?High-speedswitching ?Ultrasmallpackagefacilitatesminiaturizationinendproducts(mountingheight:0.9mm) ?Highallowablepowerdissipation ?Halogenfreecompliance Applic

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

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SurfaceMountZenerDiodes

COMCHIPComchip Technology

典琦典琦科技股份有限公司

COMCHIP

DMN3115UDM

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N-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR

Description ThisnewgenerationMOSFEThasbeendesignedtominimizetheon-stateresistance(RDS(on))andyetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhighefficiencypowermanagementapplications. Features ?LowOn-Resistance ?VeryLowGateThresholdVoltage ?LowInput

DIODES

Diodes Incorporated

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Electretcondensermicrophone-SupplyVoltagerange:0.9to10VDC

KNOWLESKnowles Electronics

樓氏電子樓氏電子(蘇州)有限公司

KNOWLES

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Push-PullLowPowerTransformer

PCA

PCA ELECTRONICS INC.

PCA

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Push-PullLowPowerTransformer

PCA

PCA ELECTRONICS INC.

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