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AOD4C60

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iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.95Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

ISC

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無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

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航空電子日本航空電子工業(yè)株式會社

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WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd

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ZOWIEZowie Technology Corporation

智威智威科技股份有限公司

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SLLIMMnano-2ndseriesIPM,3-phaseinverter,6A,600Vshort?circuitruggedIGBT

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