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K20A60U	文件：184.91 Kbytes Page：6 Pages	FieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType(DTMOS?? SwitchingRegulatorApplications ?Lowdrain-sourceON-resistance:RDS(ON)=0.165Ω(typ.) ?Highforwardtransferadmittance:?Yfs?=12S(typ.) ?Lowleakagecurrent:IDSS=100μA(max)(VDS=600V) ?Enhancement-mode:Vth=3.0to5.0V(VDS=10V,ID=1mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA
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FieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType(DTMOS??

SwitchingRegulatorApplications ?Lowdrain-sourceON-resistance:RDS(ON)=0.165Ω(typ.) ?Highforwardtransferadmittance:?Yfs?=12S(typ.) ?Lowleakagecurrent:IDSS=100μA(max)(VDS=600V) ?Enhancement-mode:Vth=3.0to5.0V(VDS=10V,ID=1mA)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

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MOSFETsSiliconN-ChannelMOS

Applications ?SwitchingVoltageRegulators Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.13Ω(typ.) byusedtoSuperJunctionStructure:DTMOS (2)EasytocontrolGateswitching (3)Enhancementmode:Vth=2.7to3.7V(VDS=10V,ID=1mA)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

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FRED

NI

National Instruments Inc.

NI

KCU20A60

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FRD-LowForwardVoltageDrop

ForPowerFactorImprovementHighFrequencyRectification FEATURES *SimilartoTO-247ACCase *DualDiodes–CathodeCommon *Ultra–FastRecovery *LowForwardVoltageDrop *HighSurgeCapability

NIEC

Nihon Inter Electronics Corporation

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PowerSchottkyRectifier-20Amp60Volt

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