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AMG-SO101	文件：167.52 Kbytes Page：2 Pages	FACTSHEET	ALPHA-MICROAlpha microelectronics gmbh alpha microelectronics gmbh	ALPHA-MICRO
AMK-R101E	文件：1.10436 Mbytes Page：3 Pages	EN50155Intel?AtomE3845SoCRollingStockFanlessSystem Features ?Intel?E3845QuadCore1.91GHzSoC ?Stackableextensiondesign,optionextensionkitforapplications ?DC24VEN50155S2/C1compliant,DC48/72/110Vbyproject ?-40~70°CwidetemperaturesupportwithEN50155TXcompliant ?SolidconnectionforLAN/USB/Audio/COMandpowerinp	ADVANTECHAdvantech Co., Ltd. 研華科技研華科技（中國(guó)）有限公司	ADVANTECH
AMK-R101E	文件：2.19573 Mbytes Page：3 Pages	6thGenIntelCorei7-6822EQQC/i5-6442EQQCRuggedFullHDNVR Features ??Inteli7-6822EQQC/Inteli5-6442EQQCSoC ??SupportTPM2.0 ??Extremegraphicperformance,supportupto1080p120fpsvideo encode&decode ??Stackableextensiondesign,optionextensionkitforapplications ??Isolated12~24VDCwide-rangepowerinput ??Diversitycommunicati	ADVANTECHAdvantech Co., Ltd. 研華科技研華科技（中國(guó)）有限公司	ADVANTECH
AMP101	文件：485.07 Kbytes Page：4 Pages	100WMedicalGradeDesktopSwitchingPowerAdapters	ASTRODYNEAstrodyne Corporation 天成達(dá)天成達(dá)(昆山)電子有限公司	ASTRODYNE
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AN101	文件：44.94 Kbytes Page：5 Pages	MOSFETs Introduction Thebasicprincipleofthefield-effecttransistor(FET)hasbeenknownsinceJ.E.Lilienfeld’spatentof1925.ThetheoreticaldescriptionofaFETmadebyShockleyin1952pavedthewayfordevelopmentofaclassicelectronicdevicewhichprovidesthedesignerthemeanstoaccompl	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
AOFW101-B	文件：3.64512 Mbytes Page：41 Pages	HoneywellZephyrTMDigitalAirflowSensors	IDECIDEC Corporation 和泉電氣IDEC株式會(huì)社	IDEC
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EN50155Intel?AtomE3845SoCRollingStockFanlessSystem

Features ?Intel?E3845QuadCore1.91GHzSoC ?Stackableextensiondesign,optionextensionkitforapplications ?DC24VEN50155S2/C1compliant,DC48/72/110Vbyproject ?-40~70°CwidetemperaturesupportwithEN50155TXcompliant ?SolidconnectionforLAN/USB/Audio/COMandpowerinp

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6thGenIntelCorei7-6822EQQC/i5-6442EQQCRuggedFullHDNVR

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RHOMBUS-IND

Rhombus Industries Inc.

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MOSFETs

Introduction Thebasicprincipleofthefield-effecttransistor(FET)hasbeenknownsinceJ.E.Lilienfeld’spatentof1925.ThetheoreticaldescriptionofaFETmadebyShockleyin1952pavedthewayfordevelopmentofaclassicelectronicdevicewhichprovidesthedesignerthemeanstoaccompl

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

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深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	AKR	ROHM/羅姆	23+	510PB	6500	專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	AKR	ROHM/羅姆	23+	510PB	6500	專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨	詢價(jià)
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