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零件編號(hào)	下載訂購(gòu)	功能描述/絲印	制造商上傳企業(yè)	LOGO
CES2301	文件：591.38 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -20V,-2.8A,RDS(ON)=100mW@VGS=-4.5V. RDS(ON)=150mW@VGS=-2.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-23package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CES2301A	文件：917.93 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -20V,-3A,RDS(ON)=90mW@VGS=-4.5V. RDS(ON)=120mW@VGS=-2.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-23package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEV2301	文件：606.8 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -20V,-1.3A,RDS(ON)=110mW@VGS=-4.5V. RDS(ON)=160mW@VGS=-2.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-323package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEV2301A	文件：519.96 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -20V,-1.5A,RDS(ON)=90mW@VGS=-4.5V. RDS(ON)=120mW@VGS=-2.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-323package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CHT2301PT	文件：307.26 Kbytes Page：3 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor VOLTAGE20VoltsCURRENT2.3Ampere FEATURE Smallsurfacemountingtype.(SC-59/SOT-346) HighdensitycelldesignforlowRDS(ON). Suitableforhighpackingdensity. Ruggedandreliable. Highsaturationcurrentcapability. Voltagecontrolledsmallsignalswitch. APPLICATION *	CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD. 力勤力勤股份有限公司	CHENMKO
CHT2301WPT	文件：654.48 Kbytes Page：3 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor VOLTAGE20VoltsCURRENT2.3Ampere FEATURE ???????Smallsurfacemountingtype.(SC-70/SOT-323) HighdensitycelldesignforlowRDS(ON). Suitableforhighpackingdensity. Ruggedandreliable. Highsaturationcurrentcapability. Voltagecontrolledsmallsignalswitch. APPLICAT	CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD. 力勤力勤股份有限公司	CHENMKO
CJ2301	文件：390.99 Kbytes Page：6 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFET	ZPSEMIZP Semiconductor 至尚臻品	ZPSEMI
CJ2301	文件：2.27301 Mbytes Page：5 Pages	P-Channel20-V(D-S)MOSFET	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長(zhǎng)電科技江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司	JIANGSU
CJ2301B	文件：1.78748 Mbytes Page：5 Pages	P-Channel20-V(D-S)MOSFET	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長(zhǎng)電科技江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司	JIANGSU
CJ2301-HF	文件：131.13 Kbytes Page：5 Pages	MOSFET	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP

零件編號(hào)

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功能描述/絲印

制造商上傳企業(yè)

LOGO

CES2301

文件：591.38 Kbytes

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P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES -20V,-2.8A,RDS(ON)=100mW@VGS=-4.5V. RDS(ON)=150mW@VGS=-2.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-23package. Leadfreeproductisacquired.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

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FEATURES -20V,-3A,RDS(ON)=90mW@VGS=-4.5V. RDS(ON)=120mW@VGS=-2.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-23package. RoHScompliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CET-MOS

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FEATURES -20V,-1.3A,RDS(ON)=110mW@VGS=-4.5V. RDS(ON)=160mW@VGS=-2.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-323package. RoHScompliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CET-MOS

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P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES -20V,-1.5A,RDS(ON)=90mW@VGS=-4.5V. RDS(ON)=120mW@VGS=-2.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-323package. RoHScompliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

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P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

VOLTAGE20VoltsCURRENT2.3Ampere FEATURE *Smallsurfacemountingtype.(SC-59/SOT-346) *HighdensitycelldesignforlowRDS(ON). *Suitableforhighpackingdensity. *Ruggedandreliable. *Highsaturationcurrentcapability. *Voltagecontrolledsmallsignalswitch. APPLICATION *

CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD.

力勤力勤股份有限公司

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P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

VOLTAGE20VoltsCURRENT2.3Ampere FEATURE ???????*Smallsurfacemountingtype.(SC-70/SOT-323) *HighdensitycelldesignforlowRDS(ON). *Suitableforhighpackingdensity. *Ruggedandreliable. *Highsaturationcurrentcapability. *Voltagecontrolledsmallsignalswitch. APPLICAT

CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD.

力勤力勤股份有限公司

CHENMKO

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文件：390.99 Kbytes

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P-ChannelEnhancementModeMOSFET

ZPSEMIZP Semiconductor

至尚臻品

ZPSEMI

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JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

長(zhǎng)電科技江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司

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JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

長(zhǎng)電科技江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司

JIANGSU

CJ2301-HF

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MOSFET

COMCHIPComchip Technology

典琦典琦科技股份有限公司

COMCHIP

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市鵬和科技有限公司	APM2301CAC-TR	ANPEC	24+	SOT-23	5000	全現(xiàn)原裝公司現(xiàn)貨	詢價(jià)
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