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FTK0910D	文件：912.76 Kbytes Page：5 Pages	100VN-ChannelMOSFETs	FS First Silicon Co., Ltd	FS
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功能描述/絲印

制造商上傳企業(yè)

LOGO

FTK0910D

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100VN-ChannelMOSFETs

FS

First Silicon Co., Ltd

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100VN-ChannelMOSFETs

FS

First Silicon Co., Ltd

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THRU-HOLEINDUCTORSIRSeries:RadialLeaded,LowtoMediumCurrent

RFERFE international

RFE國際公司RFE國際股份有限公司

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MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor

三菱電機三菱電機株式會社

Mitsubishi

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MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor

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L,SBANDPOWERGaAsFET

DESCRIPTION TheMGF0910A,GaAsFETwithanN-channelschottkygate,isdesignedforuseinUHFbandamplifiers. FEATURES ?ClassAoperation ?Highoutputpower P1dB=38.0dBm(TYP.)@f=2.3GHz ?Highpowergain GLP=11.0dB(TYP.)@f=2.3GHz ?Highpoweraddedefficiency P.A.E=

MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor

三菱電機三菱電機株式會社

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MSA-0910

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CascadableSiliconBipolarMMICAmplifier

Description TheMSA-0910isahighperformancesiliconbipolarMonolithicMicrowaveIntegratedCircuit(MMIC)housedinahermetic,highreliabilitypackage.ThisMMICisdesignedforverywidebandwidthindustrialandmilitaryapplicationsthatrequireflatgainandlowVSWR. Features ?Broadb

HPAgilent(Hewlett-Packard)

安捷倫科技安捷倫科技有限公司

HP

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