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零件編號(hào)	下載訂購(gòu)	功能描述/絲印	制造商上傳企業(yè)	LOGO
BLCC121M	文件：324.21 Kbytes Page：1 Pages	AdustableElasticFabric(StandardPerformance)	3M 3M Electronics	3M
BLE121LR	文件：877.76 Kbytes Page：29 Pages	Bluetoothv.4.0SingleModeCompliant	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
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BSH121	文件：297.38 Kbytes Page：13 Pages	N-channelenhancementmodefield-effecttransistor Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS?1technology. Productavailability: BSH121inSOT323. Features ■TrenchMOS?technology ■Veryfastswitching ■Lowthresholdvoltage ■Subminiaturesurfacemountpackage. Applications ■	PhilipsPhilips Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BSH121	文件：397.48 Kbytes Page：14 Pages	N-channelenhancementmodefield-effecttransistor 1.Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusing TrenchMOS?1technology. Productavailability: BSH121inSOT323. 2.Features nTrenchMOS?technology nVeryfastswitching nLowthresholdvoltage nSubminiaturesurfacemountpackage. 3.Applicat	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司	NEXPERIA
BSM121AR	文件：207.8 Kbytes Page：7 Pages	SIMOPACModule(PowermoduleSingleswitchNchannelEnhancementmode) VDS=200V ID=130A RDS(on)=20m? ●Powermodule ●Singleswitch ●Nchannel ●Enhancementmode ●Packagewithinsulatedmetalbaseplate ●Packageoutline/Circuitdiagram:11)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國(guó)西門子股份公司	SIEMENS
BSP121	文件：75.46 Kbytes Page：12 Pages	N-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistor DESCRIPTION N-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistorinaSOT223envelope,intendedforuseasalinecurrentinterruptorintelephonesetsandforapplicationsinrelay,high-speedandlinetransformerdrivers. FEATURES ?DirectinterfacetoC-MOS,TTL,etc. ?High-speedswitching	PhilipsPhilips Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BT121	文件：2.43634 Mbytes Page：48 Pages	BluetoothSmartReadyModule	SILABS Silicon Laboratories	SILABS

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Bluetoothv.4.0SingleModeCompliant

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商etc2未分類制造商

etc2

BLE121LR

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RenamedBluetoothSmarttoBluetoothLowEnergyaccordingtotheofficialBluetoothSIGnomenclature

KEYFEATURES: ?Bluetoothv.4.0SingleModeCompliant oMasterandslavemodes oUptoeightconnections ?IntegratedBluetoothLowEnergyStack oGAP,ATTandGATT oBluetoothLowEnergyprofiles ?Best-in-ClassRFPerformance oTransmitpower:+8dBm oReceiversensitivity:-98dBm o

SILABS

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PhilipsPhilips Semiconductors

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N-channelenhancementmodefield-effecttransistor

1.Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusing TrenchMOS?1technology. Productavailability: BSH121inSOT323. 2.Features nTrenchMOS?technology nVeryfastswitching nLowthresholdvoltage nSubminiaturesurfacemountpackage. 3.Applicat

安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

NEXPERIA

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SIMOPACModule(PowermoduleSingleswitchNchannelEnhancementmode)

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SIEMENSSiemens Semiconductor Group

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SIEMENS

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