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1KSMB130A

Marking：B10F；Package：DO-214AA；Transient Voltage Suppression Diodes

Littelfuselittelfuse

力特力特公司

1KSMB150A

Marking：B10G；Package：DO-214AA；Transient Voltage Suppression Diodes

Littelfuselittelfuse

力特力特公司

1KSMB160A

Marking：B10H；Package：DO-214AA；Transient Voltage Suppression Diodes

Littelfuselittelfuse

力特力特公司

1KSMB82A

Marking：B10A；Package：DO-214AA；Transient Voltage Suppression Diodes

Littelfuselittelfuse

力特力特公司

1KSMB91A

Marking：B10B；Package：DO-214AA；Transient Voltage Suppression Diodes

Littelfuselittelfuse

力特力特公司

2SB1068

Marking：B1068；Package：TO-92；TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors

FEATURES LowCollectorSaturationVoltage HighDCCurrentGain HighCollectorPowerDissipation ComplementaryToThe2SD1513NPNTransistor

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

2SB1068-TA

Marking：B1068；Package：TO-92；TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors

FEATURES LowCollectorSaturationVoltage HighDCCurrentGain HighCollectorPowerDissipation ComplementaryToThe2SD1513NPNTransistor

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

TPS6286B101VBMR

Marking：B101；Package：VQFN-HR；TPS6286Axx and TPS6286Bxx 2.4V to 5.5V Input, 6A, 8A, and 10A, Synchronous Step-Down Converter in 2mm × 3mm QFN Package With FB/I2C Interface

1Features ?2.4Vto5.5Vinputvoltagerange ?8mΩand8mΩinternalpowerMOSFETs ?5.1μAoperatingquiescentcurrent ?1.2MHzswitchingfrequency ?100%dutycyclemode ?0.7%outputvoltageaccuracy ?ForcedPWMorpowersavemode ?DCS-Controltopology(constanton-time) ?FB

TI1Texas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

TTB1020B

Marking：B1020B；Package：TO-220SIS；Bipolar Transistors Silicon PNP Triple-Diffused Type

Applications ?High-CurrentSwitching ?HammerDrivers Features (1)HighDCcurrentgain:hFE=2000(min)(VCE=-3V,IC=-3A) (2)Lowcollector-emittersaturationvoltage:VCE(sat)=-1.5V(max)(IC=-3A,IB=-6mA) (3)ComplementarytoTTD1415B

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

TTB1067B

Marking：B1067B；Package：TO-126N；Bipolar Transistors Silicon PNP Epitaxial Type (Darlington Transistor)

Applications ?MicromotorDrivers ?HammerDrivers ?Switching ?PowerAmplifiers Features (1)HighDCcurrentgain:hFE=2000(min)(VCE=-2V,IC=-1A) (2)Lowcollector-emittersaturationvoltage:VCE(sat)=-1.5V(max)(IC=-1A,IB=-1mA) (3)ComplementarytoTTD1509B

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

晶體管資料

  • 型號：

    B10

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-P+R

  • 性質：

    表面帖裝型 （SMD）_差分放大器射極輸出 （Dual）

  • 封裝形式：

    貼片封裝

  • 極限工作電壓：

    50V

  • 最大電流允許值：

    0.1A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    6

  • 可代換的型號：

    IMB10A,

  • 最大耗散功率：

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    H-23

  • vtest：

    50

  • htest：

    999900

  • atest：

    0.1

  • wtest：

    0

詳細參數(shù)

  • 型號：

    B10

  • 制造商：

    Xytronic Industries

  • 功能描述：

    TIP SCREWDRIVER 4.8MM

  • 制造商：

    Thomas & Betts

  • 制造商：

    PACIFIC

  • 功能描述：

    RESISTOR, WIRE WOUND, 7 W, 0.02, 0.05, 0.1, 0.25, 0.5, 1, 3, 5 %, 20, 50, 90 ppm, 1 ohm - 96000 ohm, THROUGH HOLE MOUNT

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多B10供應商 更新時間2025-5-25 9:31:00

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