BAP55LX分立半導體產品的二極管-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
BAP55LX |
| 參數(shù)屬性 | BAP55LX 封裝/外殼為2-XDFN；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）；類別為分立半導體產品的二極管-射頻；產品描述：RF DIODE PIN 50V 135MW 2DFN |
| 功能描述 | RF Manual 16th edition |
| 封裝外殼 | 2-XDFN |
| 文件大小 |
9.37507 Mbytes |
| 頁面數(shù)量 |
130 頁 |
| 生產廠商 | NXP Semiconductors |
| 企業(yè)簡稱 |
nxp【恩智浦】 |
| 中文名稱 | 恩智浦半導體公司官網 |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-5-15 19:10:00 |
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BAP55LX規(guī)格書詳情
General description
10W plastic LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 700 MHz to 2700 MHz.
Features and benefits
■ High efficiency
■ Excellent ruggedness
■ Designed for broadband operation
■ Excellent thermal stability
■ High power gain
■ Integrated ESD protection
■ Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances (RoHS)
Applications
■ CDMA
■ W-CDMA
■ GSM EDGE
■ MC-GSM
■ LTE
■ WiMAX
產品屬性
- 產品編號：
BAP55LX,315
- 制造商：
NXP USA Inc.
- 類別：
分立半導體產品 > 二極管 - 射頻
- 包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）
- 二極管類型：
PIN - 單
- 電壓 - 峰值反向（最大值）：
50V
- 不同?Vr、F 時電容：
0.28pF @ 20V，1MHz
- 不同?If、F 時電阻：
800 毫歐 @ 100mA，100MHz
- 工作溫度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
- 封裝/外殼：
2-XDFN
- 供應商器件封裝：
DFN1006D-2
- 描述：
RF DIODE PIN 50V 135MW 2DFN
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NXP/恩智浦 |
24+ |
SOD882 |
990000 |
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詢價 | ||
NXP/恩智浦 |
25+ |
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NXP |
23+ |
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NXP(恩智浦) |
23+ |
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NXP(恩智浦) |
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NXP |
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詢價 |
