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BC849CW

NPNSiliconAFTransistor(ForAFinputstagesanddriverapplicationsHighcurrentgainLowcollector-emittersaturationvoltage)

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國西門子股份公司

BC849CW

NPNgeneralpurposetransistors

DESCRIPTION NPNtransistorinaSOT323plasticpackage. PNPcomplements:BC859WandBC860W. FEATURES ?Lowcurrent(max.100mA) ?Lowvoltage(max.45V). APPLICATIONS ?Lownoisestagesintaperecorders,hi-fiamplifiersandotheraudio-frequencyequipment.

PhilipsPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

BC849CW

NPNSiliconAFTransistors

NPNSiliconAFTransistors ●ForAFinputstagesanddriverapplications ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Lownoisebetween30Hzand15kHz ●Complementarytypes:BC856W,BC857W,BC858W,BC859W,BC860W(PNP)

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BC849CW

SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors

SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors ?Powerdissipation200mW ?PlasticcaseSOT-323 ?Weightapprox.0.01g ?PlasticmaterialhasULclassification94V-0 ?Standardpackagingtapedandreeled

Diotec

Diotec Semiconductor

BC849CW

NPNGENERALPURPOSETRANSISTORS

FEATURES ?Generalpurposeamplifierapplications ?NPNepitaxialsilicon,planardesign ?CollectorcurrentIC=100mA ?BothnormalandPbfreeproductareavailable: Normal:80~95Sn,5~20Pb Pbfree:98.5Snabove

PANJITPan Jit International Inc.

強茂強茂股份有限公司

BC849CW

NPNSiliconAFTransistors

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BC849CW

NPNTransistor

FEATURES -Lowreversecurrent,highreliability -Surfacedevicetypemounting -Moisturesensitivitylevel1 -MatteTin(Sn)leadfinishwithNickel(Ni)underplate -PbfreeversionandRoHScompliant -PackingcodewithsuffixGmeansgreencompound(halogen-free)

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

臺灣半導(dǎo)體臺灣半導(dǎo)體股份有限公司

BC849CW

NPNTransistor

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

臺灣半導(dǎo)體臺灣半導(dǎo)體股份有限公司

BC849CW

SMDGeneralPurposeNPNTransistors

Diotec

Diotec Semiconductor

BC849CW

SMDGeneralPurposeNPNTransistors

Diotec

Diotec Semiconductor

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    BC849CTC

  • 功能描述：

    兩極晶體管 - BJT -

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT：

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min：

    100 A

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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