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BC856XQC_SER

65V,100mAPNPgeneral-purposetransistor

Featuresandbenefits ?Highpowerdissipationcapability ?SuitableforAutomaticOpticalInspection(AOI)ofsolderjoint ?SmallerfootprintcomparedtoconventionalleadedSMDpackages ?Lowpackageheightof0.5mm

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安世安世半導體(中國)有限公司

BC856XQC-Q

65V,100mAPNPgeneral-purposetransistor

Featuresandbenefits ?Highpowerdissipationcapability ?SuitableforAutomaticOpticalInspection(AOI)ofsolderjoint ?SmallerfootprintcomparedtoconventionalleadedSMDpackages ?Lowpackageheightof0.5mm ?QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecommendedforuseinautomotivea

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安世安世半導體(中國)有限公司

BC856XQC-Q_SER

65V,100mAPNPgeneral-purposetransistor

Featuresandbenefits ?Highpowerdissipationcapability ?SuitableforAutomaticOpticalInspection(AOI)ofsolderjoint ?SmallerfootprintcomparedtoconventionalleadedSMDpackages ?Lowpackageheightof0.5mm ?QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecommendedforuseinautomotivea

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安世安世半導體(中國)有限公司

BCM856BS

PNP/PNPmatcheddoubletransistors

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

BCM856BS

PNP/PNPmatcheddoubletransistors

Features *Currentgainmatching *Base-emittervoltagematching *Drop-inreplacementforstandarddoubletransistors *AEC-Q101qualified

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安世安世半導體(中國)有限公司

BCM856BS/DG

PNP/PNPmatcheddoubletransistors

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

BCM856BS/DG

PNP/PNPmatcheddoubletransistors

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

BCM856BS/DG

PNP/PNPmatcheddoubletransistors

Features *Currentgainmatching *Base-emittervoltagematching *Drop-inreplacementforstandarddoubletransistors *AEC-Q101qualified

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安世安世半導體(中國)有限公司

BCM856BSH

65V,100mAPNP/PNPmatcheddoubletransistor

Featuresandbenefits ?Lowcollectorcapacitance ?Lowcollector-emittersaturationvoltage ?Currentgainmatching ?Base-emittervoltagematching ?Drop-inreplacementforstandarddoubletransistors ?Nomutualinterferencebetweenthetransistors ?High-temperatureapplicationsupto1

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安世安世半導體(中國)有限公司

BCM856BSH-Q

65V,100mAPNP/PNPmatcheddoubletransistor

Featuresandbenefits ?Lowcollectorcapacitance ?Lowcollector-emittersaturationvoltage ?Currentgainmatching ?Base-emittervoltagematching ?Drop-inreplacementforstandarddoubletransistors ?Nomutualinterferencebetweenthetransistors ?High-temperatureapplicationsupto1

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安世安世半導體(中國)有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    BC856-T

  • 功能描述：

    兩極晶體管 - BJT PNP 0.1A 65V LN

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT：

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min：

    100 A

  • 安裝風格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    PowerFLAT 2 x 2

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
NXP
22+
NA
45000
加我QQ或微信咨詢更多詳細信息,
 詢價
NXP USA Inc.
2022+
SC-75
38550
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
 詢價
NXP USA Inc.
25+
SC-75 SOT-416
9350
獨立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費試樣正品保證
 詢價
NXP
24+
原廠封裝
6932
優(yōu)勢現(xiàn)貨
 詢價
infineon
24+
SC74
123000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
 詢價
INFINEON
24+
SOT-163
5900
原裝正品
 詢價
SIE
23+
SC-74
31000
全新原裝現(xiàn)貨
 詢價
INFINEON
23+
NA
19960
只做進口原裝,終端工廠免費送樣
 詢價
SOT-163
23+
NA
15659
振宏微專業(yè)只做正品,假一罰百!
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1844+
SOT323
9852
只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風險!!
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更多BC856-T供應商 更新時間2025-5-24 10:09:00

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