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零件編號	下載訂購	功能描述/絲印	制造商上傳企業(yè)	LOGO
BTS120	文件：310.5 Kbytes Page：9 Pages	TEMPFET(NchannelEnhancementmodeTemperaturesensorwiththyristorcharacteristic)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司	SIEMENS
BTS120	文件：445.86 Kbytes Page：10 Pages	TEMPFET(NchannelEnhancementmodeTemperaturesensorwiththyristorcharacteristic)	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BTS120	文件：332.93 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=7A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.1Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
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零件編號

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功能描述/絲印

制造商上傳企業(yè)

LOGO

BTS120

文件：310.5 Kbytes

Page：9 Pages

TEMPFET(NchannelEnhancementmodeTemperaturesensorwiththyristorcharacteristic)

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國西門子股份公司

SIEMENS

BTS120

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TEMPFET(NchannelEnhancementmodeTemperaturesensorwiththyristorcharacteristic)

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

Infineon

BTS120

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iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=7A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.1Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

ISC

BU120

文件：12.14 Kbytes

Page：1 Pages

BipolarNPNDeviceinaHermeticallysealedTO3MetalPackage

SEME-LAB

Seme LAB

SEME-LAB

BU120

文件：190.12 Kbytes

Page：2 Pages

Collector-EmitterSustainingVoltage-:VCEO(SUS)=200V(Min)

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

ISC

BU120

文件：129.47 Kbytes

Page：2 Pages

SiliconNPNPowerTransistors

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導體新澤西半導體產品股份有限公司

NJSEMI

BVND-M120GT

文件：122.26 Kbytes

Page：2 Pages

EinteiligeUniversalarmaturgerade,metrischOne-pieceUniversalConnectionstraight,metric

ABBabb

ABB集團ABB（中國）有限公司

ABB

BYX120G

文件：25.83 Kbytes

Page：4 Pages

High-voltagesoft-recoverycontrolledavalancherectifier

DESCRIPTION Ruggedglasspackage,usingahightemperaturealloyedconstruction. Thispackageishermeticallysealedandfatiguefreeascoefficientsofexpansionofallusedpartsarematched. Thepackageisdesignedtobeusedinaninsulatingmediumsuchasresin,oilorSF6gas. FEATURES

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

Philips

BZT120

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SiliconPlanarZenerDiodes

SEMTECH

Semtech Corporation

SEMTECH

BZT120

文件：162.33 Kbytes

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SILICONPLANARZENERDIODES

SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD.

先之科半導體先之科半導體科技（東莞）有限公司

SEMTECH_ELEC

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