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BCW68F分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料

BCW68F
廠商型號

BCW68F
參數(shù)屬性

BCW68F 封裝/外殼為TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產(chǎn)品描述：TRANS PNP 45V 0.8A TO236AB
功能描述

PNP General Purpose Amplifier
絲印標識

DF
封裝外殼

SOT-23 / TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
文件大小

157.71 Kbytes
頁面數(shù)量

4 頁
生產(chǎn)廠商 Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited
企業(yè)簡稱

BILIN【銀河微電】

中文名稱

常州銀河世紀微電子股份有限公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-28 12:14:00
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BCW68F規(guī)格書詳情

FEATURES

● For general AF applications.

● High current gain.

● Low collector-emitter saturation voltage.

● Complementary types:BCW65,BCW66(NPN).

APPLICATIONS

● This device is designed for general purpose amplifier

and switching applications.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    BCW68FR

  • 制造商：

    Nexperia USA Inc.

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 系列：

    Automotive, AEC-Q101

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    450mV @ 50mA，500mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    5μA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    100 @ 100mA，1V

  • 頻率 - 躍遷：

    80MHz

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供應商器件封裝：

    TO-236AB

  • 描述：

    TRANS PNP 45V 0.8A TO236AB

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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