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HSMP-3815	文件：149.46 Kbytes Page：9 Pages	SurfaceMountRFPINLowDistortionAttenuatorDiodes Description TheHSMP-381xseriesisspecificallydesignedforlowdistortionattenuatorapplications.TheHSMP-481xproductsfeatureultralowparasiticinductanceintheSOT-23andSOT-323packages.Theyarespecificallydesignedforuseatfrequencieswhicharemuchhigherthantheupperlimi	AVAGOAVAGO TECHNOLOGIES LIMITED 安華高	AVAGO
HSMP-3815-BLKG	文件：149.46 Kbytes Page：9 Pages	SurfaceMountRFPINLowDistortionAttenuatorDiodes Description TheHSMP-381xseriesisspecificallydesignedforlowdistortionattenuatorapplications.TheHSMP-481xproductsfeatureultralowparasiticinductanceintheSOT-23andSOT-323packages.Theyarespecificallydesignedforuseatfrequencieswhicharemuchhigherthantheupperlimi	AVAGOAVAGO TECHNOLOGIES LIMITED 安華高	AVAGO
IRFPS3815	文件：101.62 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=150V,Rds(on)=0.015ohm,Id=105A) Description TheHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,provid	IRF International Rectifier	IRF
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IRFPS3815PBF	文件：131.99 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description TheHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,provid	IRF International Rectifier	IRF
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HSMP-3815

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SurfaceMountRFPINLowDistortionAttenuatorDiodes

Description TheHSMP-381xseriesisspecificallydesignedforlowdistortionattenuatorapplications.TheHSMP-481xproductsfeatureultralowparasiticinductanceintheSOT-23andSOT-323packages.Theyarespecificallydesignedforuseatfrequencieswhicharemuchhigherthantheupperlimi

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Description TheHSMP-381xseriesisspecificallydesignedforlowdistortionattenuatorapplications.TheHSMP-481xproductsfeatureultralowparasiticinductanceintheSOT-23andSOT-323packages.Theyarespecificallydesignedforuseatfrequencieswhicharemuchhigherthantheupperlimi

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PowerMOSFET(Vdss=150V,Rds(on)=0.015ohm,Id=105A)

Description TheHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,provid

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International Rectifier

IRF

IRFPS3815PBF

文件：137.37 Kbytes

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AdvancedProcessTechnology

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International Rectifier

IRF

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HEXFETPowerMOSFET

Description TheHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,provid

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9615SWAllenBlvd

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9615SWAllenBlvd103BeavertonOR97005

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FastCurrentGaugeICwithUltraLowLossSenseElementandPWMOutput

NSCNational Semiconductor (TI)

美國國家半導(dǎo)體美國國家半導(dǎo)體公司

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NSCNational Semiconductor (TI)

美國國家半導(dǎo)體美國國家半導(dǎo)體公司

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25A,DualPolyPhaseRegulatorwithDigitalPowerSystemManagement

ADAnalog Devices

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