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SSM9916H	文件：429.86 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELENHANCEMENT-MODEPOWERMOSFET Description PowerMOSFETsfromSiliconStandardprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,ultralowon-resistanceandcost-effectiveness. Lowon-resistance Capableof2.5Vgatedrive Lowdrivecurrent Simpledriverequirement	SSC Silicon Standard Corp.	SSC
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STD9916L	文件：900.03 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ●SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable. ●TO-252andTO-251Package.	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop
STU9916L	文件：756.21 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司	DOINGTER
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Description PowerMOSFETsfromSiliconStandardprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,ultralowon-resistanceandcost-effectiveness. Lowon-resistance Capableof2.5Vgatedrive Lowdrivecurrent Simpledriverequirement

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Description PowerMOSFETsfromSiliconStandardprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,ultralowon-resistanceandcost-effectiveness. Lowon-resistance Capableof2.5Vgatedrive Lowdrivecurrent Simpledriverequirement

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