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BTN5551A3	文件：144.39 Kbytes Page：4 Pages	General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor Description TheBTN5551A3isdesignedforgeneralpurposeapplicationsrequiringhighbreakdownvoltage. Features ?Highcollector-emitterbreakdownvoltage.(BVCEO=160V@IC=1mA) ?ComplementtoBTP5401A3	CYSTEKECCystech Electonics Corp. 全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司	CYSTEKEC

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