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UPA2719AGR

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

DESCRIPTION TheμPA2719AGRisP-ChannelMOSFieldEffect Transistordesignedforpowermanagementapplicationsof notebookcomputersandLithium-Ionbatteryprotection circuit. FEATURES ?Lowon-stateresistance RDS(on)1=13mΩMAX.(VGS=?10V,ID=?5.0A) RDS(on)2=20.9mΩMAX.(VGS

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

UPA2719GR

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

DESCRIPTION TheμPA2719GRisP-ChannelMOSFieldEffectTransistor designedforpowermanagementapplicationsofnotebook computersandLi-ionbatteryprotectioncircuit. FEATURES ?Lowon-stateresistance RDS(on)1=13mΩMAX.(VGS=?10V,ID=?5.0A) RDS(on)2=20.9mΩMAX.(VGS=?4.5

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

UPA2719GR

SWITCHINGP-CHANNELPOWERMOSFET

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào):

    C2719

  • 制造商:

    HAMAMATSU

  • 制造商全稱:

    Hamamatsu Corporation

  • 功能描述:

    Photosensor amplifier

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
NEC
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TO-92
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更多C2719供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-5-25 16:30:00