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CDBCT3100-HF	文件：380.86 Kbytes Page：4 Pages	SMDSchottkyBarrierDiode Forwardcurrent:3.0A Reversevoltage:20to100V RoHSDevice HalogenFree Features -Leadlesschipform,noleaddamage. -Lowpowerloss,Highefficiency. -Highcurrentcapability,lowVF -PlasticpackagehasUL94V-0. MechanicalData -Case:PackedwithFRPsubstrateandepoxyunde	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CDBMH3100-G	文件：99.74 Kbytes Page：4 Pages	SMDSchottkyBarrierRectifiers	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CDBMH3100-HF	文件：169.43 Kbytes Page：4 Pages	SMDSchottkyBarrierRectifiers	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CDBMH3100-HF	文件：169.43 Kbytes Page：4 Pages	SMDSchottkyBarrierRectifiers	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CDBMH3100-HF	文件：102.83 Kbytes Page：4 Pages	SMDSchottkyBarrierRectifiers	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CDBMHT3100-HF	文件：269.83 Kbytes Page：4 Pages	SMDSchottkyBarrierRectifiers	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CED3100	文件：415.7 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■30V,51A,RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=17mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CED3100	文件：661.16 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 30V,51A,RDS(ON)=10mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RDS(ON)=17mW@VGS=4.5V. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEM3100	文件：633.79 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 30V,12A,RDS(ON)=12mW@VGS=10V. RDS(ON)=19mW@VGS=4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEP3100	文件：418.74 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■30V,47A,RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=21mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Lead-freeplating;RoHScompliant. ■TO-220package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET

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Forwardcurrent:3.0A Reversevoltage:20to100V RoHSDevice HalogenFree Features -Leadlesschipform,noleaddamage. -Lowpowerloss,Highefficiency. -Highcurrentcapability,lowVF -PlasticpackagehasUL94V-0. MechanicalData -Case:PackedwithFRPsubstrateandepoxyunde

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N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES ■30V,51A,RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=17mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.

CETChino-Excel Technology

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CET

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FEATURES 30V,51A,RDS(ON)=10mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RDS(ON)=17mW@VGS=4.5V. RoHScompliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

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CET-MOS

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FEATURES 30V,12A,RDS(ON)=12mW@VGS=10V. RDS(ON)=19mW@VGS=4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. RoHScompliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

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FEATURES ■30V,47A,RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=21mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Lead-freeplating;RoHScompliant. ■TO-220package.

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供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市湘達(dá)電子科技有限公司	CB-CE01-18B-EIC	DIVERSE	2022+		6600	只做原裝,假一罰十,長期供貨。	詢價(jià)
深圳芯力源電子科技有限公司	CBCEO28200A-ES2	OPCIEI	23+	BGA	5177	現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市興燦科技有限公司	CBC-EVAL-05	Cymbet	24+	原廠封裝	4538	原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市鵬順微電子科技有限公司	CBC-EVAL-05	Cymbet	2022+	原廠原包裝	6800	全新原裝支持表配單中國著名電子元器件獨(dú)立分銷	詢價(jià)
現(xiàn)代芯城（深圳）科技有限公司	CBC-EVAL-05		24+	N/A	54000	一級代理-主營優(yōu)勢-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇	詢價(jià)
深圳市宏世佳電子科技有限公司	CBCFR83A	TI	2025+	SSOP24	3750	全新原廠原裝產(chǎn)品、公司現(xiàn)貨銷售	詢價(jià)
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