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NP50P03YDG	文件：238.04 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR Description TheNP50P03YDGisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Lowon-stateresistance ?RDS(on)=8.4mΩMAX.(VGS=?10V,ID=?25A) ?LowCiss:Ciss=2300pFTYP.(VDS=?25V,VGS=0V) ?Designedforautomotiveapp	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
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SPD50P03LG	文件：1.78852 Mbytes Page：8 Pages	P-Channel30V(D-S)MOSFET FEATURES ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
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SQM50P03	文件：163.18 Kbytes Page：9 Pages	AutomotiveP-Channel30V(D-S)175?CMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SW50P03	文件：626.25 Kbytes Page：6 Pages	P-channelEnhancedmodeTO-251MOSFET	SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司	SEMIPOWER
VBZE50P03	文件：626.22 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel30V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI

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NP50P03YDG

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Description TheNP50P03YDGisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Lowon-stateresistance ?RDS(on)=8.4mΩMAX.(VGS=?10V,ID=?25A) ?LowCiss:Ciss=2300pFTYP.(VDS=?25V,VGS=0V) ?Designedforautomotiveapp

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

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Feature ?P-Channel ?Enhancementmode ?LogicLevel ?Highcurrentrating ?175°Coperatingtemperature ?Avalancherated ?dv/dtrated

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InfineonInfineon Technologies AG

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VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

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VBSEMI

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VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

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P-channelEnhancedmodeTO-251MOSFET

SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd.

芯派科技芯派科技股份有限公司

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微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

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