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IRF2204L	文件：224.58 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturestothisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandim	IRF International Rectifier	IRF
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IRF2204S	文件：263.11 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor ?FEATURES ?WithTO-263(D2PAK)packaging ?Highspeedswitching ?Lowgateinputresistance ?Standardlevelgatedrive ?Easytouse ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation ?APPLICATIONS ?Powersupply ?Switchinga	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
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IX2204NE	文件：220.58 Kbytes Page：10 Pages	DualLowSide	IXYS IXYS Corporation	IXYS

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制造商上傳企業(yè)

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IRF2204L

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AUTOMOTIVEMOSFET

Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturestothisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandim

IRF

International Rectifier

IRF

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HEXFET?PowerMOSFET(VDSS=40V,RDS(on)=3.6m廓,ID=170A)

Description ThisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesefeatures

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AUTOMOTIVEMOSFET

Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturestothisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandim

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iscN-ChannelMOSFETTransistor

?FEATURES ?WithTO-263(D2PAK)packaging ?Highspeedswitching ?Lowgateinputresistance ?Standardlevelgatedrive ?Easytouse ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation ?APPLICATIONS ?Powersupply ?Switchinga

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

ISC

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HEXFET?PowerMOSFET(VDSS=40V,RDS(on)=3.6m廓,ID=170A)

Description ThisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesefeatures

IRF

International Rectifier

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IX2204

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IXYS

IXYS Corporation

IXYS

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IXYS

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