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尼爾半導體尼爾半導體股份有限公司

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Benefits ●ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheSOA ●EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dtCapability Applications ●HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS ●UninterruptiblePowerSupply ●HighSpeedPowerSwitching

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N-Ch100VFastSwitchingMOSFETs

Description TheIRFB4410ZusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas4.5V.ThisdeviceissuitableforuseasaBatteryprotectionorinotherSwitchingapplication. GeneralFeatures VDS=100VID=70A RDS(ON)

EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

翊歐翊歐半導體

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