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FDC2512	文件：1.88279 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel100V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
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FDD2512	文件：298.3 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=6.7A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=420mΩ(Max) DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
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FDMC2512SDC	文件：298.84 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelDualCoolTMPowerTrench?SyncFETTM25V,40A,2.0m廓	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
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Features BVDSS150V ID@VGS10V,TA=25°C1.5A RDS(ON)typ.@VGS-10V,ID-1.5A240mΩ

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GeneralDescription ThisN-ChannelMOSFEThasbeendesignedspecificallytoimprovetheoverallefficiencyofDC/DCconvertersusingeithersynchronousorconventionalswitchingPWMcontrollers.TheseMOSFETsfeaturefasterswitchingandlowergatechargethanotherMOSFETswithcomparableRDS(ON

FairchildFairchild Semiconductor

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Fairchild

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iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=6.7A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=420mΩ(Max) DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

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Features ?VDS=150V,ID=20A RDS(ON)

BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED

百域芯深圳市百域芯科技有限公司

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N-ChannelDualCoolTMPowerTrench?SyncFETTM25V,40A,2.0m廓

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