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IDH16G65C5

Marking：D1665C5；Package：PG-TO220-2；SiC Silicon Carbide Diode

1Description ThinQ!?Generation5representsInfineonleadingedgetechnologyfortheSiC SchottkyBarrierdiodes.TheInfineonproprietarydiffusionsolderingprocess, alreadyintroducedwithG3isnowcombinedwithanew,morecompactdesignand thin-wafertechnology.Theresultisanewfa

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IDH16G65C5

Marking：D1665C5；Package：PG-TO220-2；5t h Generation thinQ!TM 650V SiC Schottky Diode

1Description ThinQ!?Generation5representsInfineonleadingedgetechnologyfortheSiC SchottkyBarrierdiodes.TheInfineonproprietarydiffusionsolderingprocess, alreadyintroducedwithG3isnowcombinedwithanew,morecompactdesignand thin-wafertechnology.Theresultisanewfa

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IDK16G120C5

Marking：D1612C5；Package：PG-TO263-2；5th Generation CoolSiCTM 1200V Schottky Diode

Features ?Revolutionarysemiconductormaterial-SiliconCarbide ?Noreverserecoverycurrent/noforwardrecovery ?Temperatureindependentswitchingbehaviour ?Lowforwardvoltageevenathighoperatingtemperature ?Tightforwardvoltagedistribution ?Excellentthermalperformance ?

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

KSD1691

Marking：D1691；Package：TO-126；TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors

FEATURES LowCollector-EmitterSaturationVoltage&Large CollectorCurrent HighPowerDissipation:PC=1.3W(Ta=25°C)

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

KSD1691-TU

Marking：D1691；Package：TO-126；TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors

FEATURES LowCollector-EmitterSaturationVoltage&Large CollectorCurrent HighPowerDissipation:PC=1.3W(Ta=25°C)

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

PJD16N06A_L2_00001

Marking：D16N06A；Package：TO-252AA；60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features ?RDS(ON),VGS@10V,ID@8A

PANJITPan Jit International Inc.

強(qiáng)茂強(qiáng)茂股份有限公司

PJD16N06A-AU_L2_000A1

Marking：D16N06A；Package：TO-252AA；60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features ?RDS(ON),VGS@10V,ID@8A

PANJITPan Jit International Inc.

強(qiáng)茂強(qiáng)茂股份有限公司

PJD16P04_L2_00001

Marking：D16P04；Package：TO-252AA；40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features ?RDS(ON),VGS@-10V,ID@-10A

PANJITPan Jit International Inc.

強(qiáng)茂強(qiáng)茂股份有限公司

PJD16P04-AU_L2_000A1

Marking：D16P04；Package：TO-252AA；40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features ?RDS(ON),VGS@-10V,ID@-10A

PANJITPan Jit International Inc.

強(qiáng)茂強(qiáng)茂股份有限公司

PJD16P06A-AU_L2_000A1

Marking：D16P06A；Package：TO-252AA；60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features ?RDS(ON),VGS@-10V,ID@-8A

PANJITPan Jit International Inc.

強(qiáng)茂強(qiáng)茂股份有限公司

晶體管資料

  • 型號(hào)：

    D16

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-N/P+R

  • 性質(zhì)：

    表面帖裝型 （SMD）

  • 封裝形式：

    貼片封裝

  • 極限工作電壓：

    50V

  • 最大電流允許值：

    0.1A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    6

  • 可代換的型號(hào)：

    IMD16A,

  • 最大耗散功率：

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號(hào)：

    H-23

  • vtest：

    50

  • htest：

    999900

  • atest：

    0.1

  • wtest：

    0

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    D16

  • 制造商：

    Micro-Star International

  • 功能描述：

    16X DVD-ROM IDE INTERNAL - Bulk

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
ROHM/羅姆
24+
NA/
425
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開(kāi)增值稅票
 詢價(jià)
24+
N/A
64000
一級(jí)代理-主營(yíng)優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇
 詢價(jià)
ST
12+
TO-252
15000
全新原裝,絕對(duì)正品,公司現(xiàn)貨供應(yīng)。
 詢價(jià)
24+
QFP-52P
21
現(xiàn)貨
 詢價(jià)
DSP
2015+
SMD
19998
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 詢價(jià)
AMD
BGA
114
正品原裝--自家現(xiàn)貨-實(shí)單可談
 詢價(jià)
TI/TEXAS
23+
PLCC44
8931
詢價(jià)
EUROHM
24+/25+
100
原裝正品現(xiàn)貨庫(kù)存價(jià)優(yōu)
 詢價(jià)
FPE
2016+
變壓器
8850
只做原裝,假一罰十,公司專營(yíng)變壓器,濾波器!
 詢價(jià)
NEC
24+
驅(qū)動(dòng)IC
2600
原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
 詢價(jià)
更多D16供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-5-21 23:00:00

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