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FDB2710	文件：332.13 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=50A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=250V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=42.5mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
FDC2710	文件：514.64 Kbytes Page：3 Pages	OpenCarrierFrequencyDoublerForMicrowaveTelecommunications Description TheFDC2710isapassivebridgediodefrequencydoubler,designedforuseinthehighvolumecommercialandtestequipmentapplications.ThedesignutilizesSchottkybridgequaddiodesandbroadbandbalunstoattainexcellentperformance.Theuseofhightemperaturesolderandwelded	MA-COM M/A-COM Technology Solutions, Inc.	MA-COM
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制造商上傳企業(yè)

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FDB2710

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iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=50A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=250V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=42.5mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

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MACOM

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

Fairchild

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無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

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無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

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