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IRF044	文件：48.34 Kbytes Page：2 Pages	SimpleDriveRequirements DESCRIPTION ?DrainCurrentID=44A@TC=25℃ ?DrainSourceVoltage- :VDSS=60V(Min) ?StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.028Ω(Max) ?SimpleDriveRequirements APPLICATIONS ?Switchingpowersupplies ?Motorcontrols,InvertersandChoppers ?Audioamplifiersandhighen	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
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DESCRIPTION ?DrainCurrentID=44A@TC=25℃ ?DrainSourceVoltage- :VDSS=60V(Min) ?StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.028Ω(Max) ?SimpleDriveRequirements APPLICATIONS ?Switchingpowersupplies ?Motorcontrols,InvertersandChoppers ?Audioamplifiersandhighen

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

ISC

IRF044SMD

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POWERMOSFETN-CHANNEL(BVdss=60V,Rds(on)=0.040ohm,Id=44A)

RDS(on)0.04? ID44A HEXFET?MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance.HEXFETtransistorsalsofeatureallofthewell-established

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PowerMOSFET

DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-247packageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevelsprecludet

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

Vishay

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