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PAC5220QS	文件：841.78 Kbytes Page：69 Pages	PowerApplicationController	ACTIVE-SEMI Active-Semi, Inc	ACTIVE-SEMI
PAC5220QS	文件：1.13737 Mbytes Page：73 Pages	PowerApplicationController	ACTIVE-SEMI Active-Semi, Inc	ACTIVE-SEMI
PBSS5220PAPS	文件：731.68 Kbytes Page：17 Pages	20V,2APNP/PNPlowVCEsat(BISS)doubletransistor	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司	NEXPERIA
PBSS5220T	文件：55.91 Kbytes Page：7 Pages	20V,2APNPlowVCEsat(BISS)transistor DESCRIPTION PNPBISStransistorinaSOT23plasticpackageofferingultralowVCEsatandRCEsatparameters. FEATURES ?Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ?Highcollectorcurrentcapability:ICandICM ?Higherefficiencyleadingtolessheatgeneration ?Reducedprinted-circuit	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
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PMCU-5220	文件：125.12 Kbytes Page：5 Pages	PMCU-XXXXEMI/RFICOMMONMODELINEFILTERS	PMI Premier Magnetics, Inc.	PMI
PS5220	文件：147.5 Kbytes Page：1 Pages	PS5150HD-1080pCMOSIMAGESENSOR	PixartPixart Imaging Inc. 原相科技原相科技股份有限公司	Pixart

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PAC5220QS

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20V,2APNP/PNPlowVCEsat(BISS)doubletransistor

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20V,2APNPlowVCEsat(BISS)transistor

DESCRIPTION PNPBISStransistorinaSOT23plasticpackageofferingultralowVCEsatandRCEsatparameters. FEATURES ?Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ?Highcollectorcurrentcapability:ICandICM ?Higherefficiencyleadingtolessheatgeneration ?Reducedprinted-circuit

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

Philips

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1.Generaldescription PNPlowVCEsattransistorinaSOT23smallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits ?Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ?Highcollectorcurrentcapability:ICandICM ?Higherefficiencyleadingtolessheatgeneration ?A

安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

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20V,2APNPlowVCEsat(BISS)transistor

Generaldescription PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaSOT666SurfaceMountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PBSS4220V. Features ■Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ■Highcollectorcurrentcapability:ICandICM ■Hi

nxpNXP Semiconductors

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nxp

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20V,2APNPlowVCEsat(BISS)transistor

Features *Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat *Highcollectorcurrentcapability:ICandICM *Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC *Highefficiencyduetolessheatgeneration *SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)areathanforconventionaltransistors

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PMCU-5220

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