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FDB3632_F085

N-Channel PowerTrench? MOSFET 100V, 80A, 9m廓

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FDB3632-F085

Marking:FDB3632;Package:TO-263AB;N-Channel PowerTrench? MOSFET 100V, 80A, 9mΩ

Features ?rDS(ON)=7.5mΩ(Typ.),VGS=10V,ID=80A ?Qg(tot)=84nC(Typ.),VGS=10V ?LowMillerCharge ?LowQRRBodyDiode ?UISCapability(SinglePulseandRepetitivePulse) ?QualifiedtoAECQ101 ?RoHSCompliant Applications ?DC/DCconvertersandOff-LineUPS ?Distribute

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

詳細參數(shù)

  • 型號:

    FDB3632_F085

  • 功能描述:

    MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多FDB3632_F085供應(yīng)商 更新時間2025-5-18 14:16:00