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FDG6301N_F085

Dual N-Channel, Digital FET

GeneralDescription ThesedualN-ChannellogiclevelenhancementmodefieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance.Thisdevicehasbeendesignedespeci

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FDG6301N-F085

Marking:FDG6301N;Package:SC-88;Dual N-Channel, Digital FET

Features ?25V,0.22AContinuous,0.65APeak ?RDS(ON)=4Ω@VGS=4.5V, ?RDS(ON)=5Ω@VGS=2.7V. ?VeryLowLevelGateDriveRequirementsallowingDirectop? Erationin3VCircuits(VGS(th)6kVHumanBodyModel) ?CompactIndu

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

詳細參數(shù)

  • 型號:

    FDG6301N_F085

  • 功能描述:

    MOSFET Dual N-Chan Digital MOSFET; Automotive

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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SOT-363
120000
原裝正品 可含稅交易
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免費送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系
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24+
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3000
進口原裝正品優(yōu)勢供應(yīng)
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只做原裝正品
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更多FDG6301N_F085供應(yīng)商 更新時間2025-5-20 14:00:00