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FP50R06W2E3

EasyPIM Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode und NTC

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

FP50R06W2E3

EasyPIM Modul mit Trench

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

FP50R06W2E3_13

EasyPIM Modul mit Trench

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

FP50R06W2E3_B11

EasyPIM??B module PressFIT with trench/fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled3 Diode

InfineonInfineon Technologies AG

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FP50R06W2E3_B11

EasyPIM2B Modul PressFIT mit Trench

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FP50R06W2E3_B11_13

EasyPIM2B Modul PressFIT mit Trench

InfineonInfineon Technologies AG

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FP50R06W2E3B11BOMA1

Package：模塊；包裝：散裝 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - IGBT - 模塊 描述：IGBT MODULE 600V 65A 175W

InfineonInfineon Technologies AG

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FP50R06W2E3BOMA1

Package：模塊；包裝：散裝 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - IGBT - 模塊 描述：IGBT MODULE 600V 65A 175W

InfineonInfineon Technologies AG

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詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    FP50R06W2E3

  • 功能描述：

    IGBT 模塊 IGBT 600V 50A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 產(chǎn)品：

    IGBT Silicon Modules

  • 配置：

    Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    600 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    1.95 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    230 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    445 W

  • 最大工作溫度：

    + 125 C

  • 封裝/箱體：

    34MM

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
Infineon(英飛凌)
24+
標(biāo)準(zhǔn)封裝
8748
原廠渠道供應(yīng),大量現(xiàn)貨,原型號(hào)開票。
 詢價(jià)
INFINEON
25+
3560
原裝現(xiàn)貨，支持實(shí)單
 詢價(jià)
INFINEON/英飛凌
2019+
模塊
1622
原裝正品,誠信經(jīng)營。
 詢價(jià)
SEMIKRON
module
1525
專營功率模塊,現(xiàn)貨庫存
 詢價(jià)
Infineon(英飛凌)
23+
N/A
12000
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
 詢價(jià)
INF
23+
MOD
240
正規(guī)渠道,只有原裝!
 詢價(jià)
Infineon Technologies
24+
Module
1262
原廠原裝正品現(xiàn)貨,代理渠道,支持訂貨!!!
 詢價(jià)
INFINEON
23+
NA
10000
原裝現(xiàn)貨,實(shí)單價(jià)格可談
 詢價(jià)
Infineo
23+
模塊
15000
全新原裝現(xiàn)貨,假一賠十
 詢價(jià)
Infineon(英飛凌)
2023+
AG-EASY2B-1
4550
全新原裝正品
 詢價(jià)
更多FP50R06W2E3供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-5-12 23:00:00

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