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HWCHAS1310AL

RealWalnutChassisw/AluminumTop

KeyFeatures: Heavydutyconstructionwalnutchassis(seecornerdetailphotobelow). Toppanelavailableinachoiceofnaturalaluminumorsatinblackpowderpaintfinish. Walnutchassisis0.778inchesthick(19.8mm)-cornersareproducedwithwoodbracing &dovetailconstructionmethods

HAMMONDHammond Manufacturing Company Limited

哈蒙德哈蒙德制造有限公司

HWCHAS1310BK

RealWalnutChassisw/AluminumTop

KeyFeatures: Heavydutyconstructionwalnutchassis(seecornerdetailphotobelow). Toppanelavailableinachoiceofnaturalaluminumorsatinblackpowderpaintfinish. Walnutchassisis0.778inchesthick(19.8mm)-cornersareproducedwithwoodbracing &dovetailconstructionmethods

HAMMONDHammond Manufacturing Company Limited

哈蒙德哈蒙德制造有限公司

HY1310D

N-ChannelEnhancementModeMOSFET

HUAYIHUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.

華羿微電華羿微電子股份有限公司

HY1310U

N-ChannelEnhancementModeMOSFET

HUAYIHUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.

華羿微電華羿微電子股份有限公司

HY1310V

N-ChannelEnhancementModeMOSFET

HUAYIHUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.

華羿微電華羿微電子股份有限公司

IIRF1310N

N-ChannelMOSFETTransistor

?DESCRITION ?reliabledeviceforuseinawidevarietyofapplications ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤0.036? ?Enhancementmode ?FastSwitchingSpeed ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRF1310N

PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds(on)=0.036ohm,Id=42A)

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide

IRF

International Rectifier

IRF1310N

N-ChannelMOSFETTransistor

?DESCRITION ?reliabledeviceforuseinawidevarietyofapplications ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤0.036? ?Enhancementmode ?FastSwitchingSpeed ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRF1310NL

PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds(on)=0.036ohm,Id=42A)

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide

IRF

International Rectifier

IRF1310NL

AdvancedProcessTechnology

Description TheD2PakisasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.Itprovidesthehighestpowercapabilityandthelowestpossibleon-resistanceinanyexistingsurfacemountpackage.TheD2Pakissuitableforhighcurrentapplicationsbecauseofitslowinter

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

晶體管資料

  • 型號(hào)：

    FT1310

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-NPN

  • 性質(zhì)：

    高速開關(guān) （SS）

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    5V

  • 最大電流允許值：

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號(hào)：

    BSS10,BSS11,BSS12,BSV59,BSW38,BSX19,BSX20,BSX39,BSX39A,BSX87,BSX92,BSX93,3DG130A,

  • 最大耗散功率：

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號(hào)：

    D-8

  • vtest：

    5

  • htest：

    999900

  • atest：

    0

  • wtest：

    0

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
MOT
22+
CAN3
5000
進(jìn)口原裝!現(xiàn)貨庫存
 詢價(jià)
VISHAY
24+
CAN
6430
原裝現(xiàn)貨/歡迎來電咨詢
 詢價(jià)
ST/MOTO
23+
CAN to-39
32687
原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價(jià)格優(yōu)勢、品種
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FTDI
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BGAQFP
8659
原裝公司現(xiàn)貨!原裝正品價(jià)格優(yōu)勢.
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原廠
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DIP-22
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原裝正品,假一罰十
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FORTECH
23+
DIP-22
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##公司主營品牌長期供應(yīng)100%原裝現(xiàn)貨可含稅提供技術(shù)
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DIP
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原裝現(xiàn)貨 自家?guī)齑?歡迎來電
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SOP-8
69820
終端可以免費(fèi)供樣,支持BOM配單!
 詢價(jià)
更多FT1310供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-5-18 9:19:00

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