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P25Q128H-SUH-IY	文件：3.10131 Mbytes Page：104 Pages	UltraLowPower,128M-bitSerialMultiI/OFlashMemoryDatasheet 2Description The P25Q128HisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhighvolume consumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedor externalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,wi	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉股份普冉半導(dǎo)體(上海)股份有限公司	PUYA
P25Q128H-SUH-KR	文件：3.10131 Mbytes Page：104 Pages	UltraLowPower,128M-bitSerialMultiI/OFlashMemoryDatasheet 2Description The P25Q128HisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhighvolume consumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedor externalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,wi	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉股份普冉半導(dǎo)體(上海)股份有限公司	PUYA
P25Q128H-SUH-KT	文件：3.10131 Mbytes Page：104 Pages	UltraLowPower,128M-bitSerialMultiI/OFlashMemoryDatasheet 2Description The P25Q128HisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhighvolume consumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedor externalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,wi	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉股份普冉半導(dǎo)體(上海)股份有限公司	PUYA
P25Q128H-SUH-KW	文件：3.10131 Mbytes Page：104 Pages	UltraLowPower,128M-bitSerialMultiI/OFlashMemoryDatasheet 2Description The P25Q128HisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhighvolume consumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedor externalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,wi	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉股份普冉半導(dǎo)體(上海)股份有限公司	PUYA
P25Q128H-SUH-KY	文件：3.10131 Mbytes Page：104 Pages	UltraLowPower,128M-bitSerialMultiI/OFlashMemoryDatasheet 2Description The P25Q128HisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhighvolume consumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedor externalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,wi	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉股份普冉半導(dǎo)體(上海)股份有限公司	PUYA
P25Q128H-TBH-IR	文件：3.10131 Mbytes Page：104 Pages	UltraLowPower,128M-bitSerialMultiI/OFlashMemoryDatasheet 2Description The P25Q128HisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhighvolume consumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedor externalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,wi	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉股份普冉半導(dǎo)體(上海)股份有限公司	PUYA
P25Q128H-TBH-IT	文件：3.10131 Mbytes Page：104 Pages	UltraLowPower,128M-bitSerialMultiI/OFlashMemoryDatasheet 2Description The P25Q128HisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhighvolume consumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedor externalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,wi	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉股份普冉半導(dǎo)體(上海)股份有限公司	PUYA
P25Q128H-TBH-IW	文件：3.10131 Mbytes Page：104 Pages	UltraLowPower,128M-bitSerialMultiI/OFlashMemoryDatasheet 2Description The P25Q128HisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhighvolume consumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedor externalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,wi	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉股份普冉半導(dǎo)體(上海)股份有限公司	PUYA
P25Q128H-TBH-IY	文件：3.10131 Mbytes Page：104 Pages	UltraLowPower,128M-bitSerialMultiI/OFlashMemoryDatasheet 2Description The P25Q128HisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhighvolume consumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedor externalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,wi	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉股份普冉半導(dǎo)體(上海)股份有限公司	PUYA
P25Q128H-TBH-KR	文件：3.10131 Mbytes Page：104 Pages	UltraLowPower,128M-bitSerialMultiI/OFlashMemoryDatasheet 2Description The P25Q128HisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhighvolume consumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedor externalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,wi	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉股份普冉半導(dǎo)體(上海)股份有限公司	PUYA

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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號(hào)：
GD25Q128ESIGR
制造商：
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
類別：
集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器
包裝：
管件
存儲(chǔ)器類型：
非易失
存儲(chǔ)器格式：
閃存
技術(shù)：
FLASH - NOR
存儲(chǔ)容量：
128Mb（16M x 8）
存儲(chǔ)器接口：
SPI - 四 I/O
寫周期時(shí)間 - 字，頁(yè)：
70μs，2.4ms
電壓 - 供電：
2.7V ~ 3.6V
工作溫度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
8-SOIC（0.209"，5.30mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝：
8-SOP
描述：
128MBIT NOR FLASH /3.3V /SOP8 20

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市華高宇電子有限公司	GD25Q128ESIGR	GD	21+		2000	原裝現(xiàn)貨支持實(shí)單	詢價(jià)
深圳市永貝爾科技有限公司	GD25Q128ESIGR	GD(兆易創(chuàng)新)	2023+	SOP-8-208mil	4550	全新原裝正品	詢價(jià)
深圳市澳億芯電子科技有限公司	GD25Q128ESIGR	GD	24+	SOP-8	12000	原裝	詢價(jià)
深圳市訊順達(dá)科技有限公司	GD25Q128ESIGR	GD	21+	SOP8	10000	全新原裝公司現(xiàn)貨	詢價(jià)
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	GD25Q128ESIGR	GD	23+	SOP8	10000	一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力	詢價(jià)
深圳市坤融電子科技有限公司	GD25Q128ESIGR	GIGADEVICE	24+	SOP8@@	7600	原廠授權(quán)代理價(jià)格絕對(duì)優(yōu)勢(shì)	詢價(jià)
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	GD25Q128ESIGR	GD	22+	SOP-8	6580	原廠原包可開(kāi)增票	詢價(jià)
深圳市中聯(lián)芯電子有限公司	GD25Q128ESIGR	GD/兆易創(chuàng)新	24+	SOP8	13550	只做原裝假一罰十	詢價(jià)
深圳市萊克訊科技有限公司	GD25Q128ESIGR	GIGADEVICE	最新	SOP8	6800	全新原裝公司現(xiàn)貨低價(jià)	詢價(jià)
深圳市宏譽(yù)半導(dǎo)體有限公司	GD25Q128ESIGR	GIGADEVICE/兆	21+	SOP8	10000	全新原裝	詢價(jià)

更多GD25Q128ESIGR供應(yīng)商更新時(shí)間2025-5-24 14:11:00

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