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GTVA261701FA-V1-R2分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
GTVA261701FA-V1-R2 |
| 參數(shù)屬性 | GTVA261701FA-V1-R2 包裝為帶；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：GAN SIC |
| 功能描述 | Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 170 W, 50 V, 2620 – 2690 MHz |
| 文件大小 |
750.06 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
10 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | WOLFSPEED, INC. |
| 企業(yè)簡稱 |
WOLFSPEED |
| 中文名稱 | WOLFSPEED, INC.官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-5-22 18:37:00 |
| 人工找貨 | GTVA261701FA-V1-R2價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
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更多GTVA261701FA-V1-R2規(guī)格書詳情
GTVA261701FA-V1-R2屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由WOLFSPEED, INC.制造生產(chǎn)的GTVA261701FA-V1-R2晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
Description
The GTVA261701FA is a 170-watt (P3dB) GaN on SiC high electron
mobility transistor (HEMT) for use in multi-standard cellular power
amplifier applications. It features input matching, high efficiency, and
a thermally-enhanced package with earless flange.
Features
? GaN on SiC HEMT technology
? Input Matched
? Typical CW performance, 2690 MHz, 48 V, single side
- Output power at P3dB = 170 W
- Efficiency = 75
- Gain = 15 dB
? Human Body Model, Class 1B (per ANSI/ESDA/
JEDEC JS-001)
? Capable of handling 10:1 VSWR @48 V, 40 W (CW)
output power
? RoHS-compliant
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
GTVA261701FA-V1-R2
- 制造商：
Wolfspeed, Inc.
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
帶
- 描述：
GAN SIC
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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