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MTP50P03HDL	文件：294.53 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=50A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=25mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MTP50P03HDL	文件：131.72 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFETLOGICLEVEL50AMPERES30VOLTSRDS(on)=0.025OHM HDTMOSE-FETPowerFieldEffectTransistor P–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate Thisadvancedhigh–celldensityHDTMOSpowerFETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithafastrecover	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MTP50P03HDL	文件：91.41 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET50Amps,30Volts,LogicLevelP-ChannelTO-220	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MTP50P03HDLG	文件：91.41 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET50Amps,30Volts,LogicLevelP-ChannelTO-220	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NP50P03YDG	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP50P03YDG	文件：238.04 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR Description TheNP50P03YDGisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Lowon-stateresistance ?RDS(on)=8.4mΩMAX.(VGS=?10V,ID=?25A) ?LowCiss:Ciss=2300pFTYP.(VDS=?25V,VGS=0V) ?Designedforautomotiveapp	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
SPD50P03L	文件：77.21 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOS-PPower-Transistor Feature ?P-Channel ?Enhancementmode ?LogicLevel ?Highcurrentrating ?175°Coperatingtemperature ?Avalancherated ?dv/dtrated	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SPD50P03LG	文件：633.91 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS-PPower-Transistor Features ?P-Channel ?Enhancementmode ?Logiclevel ?175°Coperatingtemperature ?Avalancherated ?dv/dtrated ?Highcurrentrating ?Pb-freelead-plating,RoHScompliant	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SPD50P03LG	文件：391.1 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS?-PPower-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SPD50P03LG	文件：1.78852 Mbytes Page：8 Pages	P-Channel30V(D-S)MOSFET FEATURES ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI

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文件：294.53 Kbytes

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iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=50A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=25mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

ISC

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TMOSPOWERFETLOGICLEVEL50AMPERES30VOLTSRDS(on)=0.025OHM

HDTMOSE-FETPowerFieldEffectTransistor P–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate Thisadvancedhigh–celldensityHDTMOSpowerFETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithafastrecover

MotorolaMotorola, Inc

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ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

ONSEMI

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RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

RENESAS

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MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

Description TheNP50P03YDGisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Lowon-stateresistance ?RDS(on)=8.4mΩMAX.(VGS=?10V,ID=?25A) ?LowCiss:Ciss=2300pFTYP.(VDS=?25V,VGS=0V) ?Designedforautomotiveapp

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

RENESAS

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OptiMOS-PPower-Transistor

Feature ?P-Channel ?Enhancementmode ?LogicLevel ?Highcurrentrating ?175°Coperatingtemperature ?Avalancherated ?dv/dtrated

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

Infineon

SPD50P03LG

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OptiMOS-PPower-Transistor

Features ?P-Channel ?Enhancementmode ?Logiclevel ?175°Coperatingtemperature ?Avalancherated ?dv/dtrated ?Highcurrentrating ?Pb-freelead-plating,RoHScompliant

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

Infineon

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OptiMOS?-PPower-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

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P-Channel30V(D-S)MOSFET

FEATURES ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

VBSEMI

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市能元時(shí)代電子有限公司	HM50P03	HMSEMI	23+	TO-252	18395	##公司主營品牌長期供應(yīng)100%原裝現(xiàn)貨可含稅提供技術(shù)	詢價(jià)
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	HM50P03K	HMSEMI	23+	TO-252	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	HM50P03D	VBsemi	23+	QFN	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	HM50P03K	HM	2022+	TO-252	32278	原廠代理終端免費(fèi)提供樣品	詢價(jià)
易創(chuàng)佳業(yè)科技（深圳）有限公司	HM50P03K	H	23+	TO-252	6000	原裝正品，支持實(shí)單	詢價(jià)
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