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IAUCN04S6N007T中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
| 廠商型號 |
IAUCN04S6N007T |
| 功能描述 | Automotive MOSFET OptiMOS? 6 Power-Transistor |
| 絲印標(biāo)識 | |
| 封裝外殼 | PG-LHDSO-10-3 |
| 文件大小 |
1.30302 Mbytes |
| 頁面數(shù)量 |
12 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Infineon Technologies AG |
| 企業(yè)簡稱 |
Infineon【英飛凌】 |
| 中文名稱 | 英飛凌科技股份公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-5-25 19:55:00 |
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Features
? OptiMOS? power MOSFET for automotive applications
? N-channel – Enhancement mode – Normal Level
? Extended qualification beyond AEC-Q101
? Enhanced electrical testing
? Robust design
? MSL1 up to 260°C peak reflow
? 175°C operating temperature
? RoHS compliant
? 100 Avalanche tested
? Top Side Cooling
