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ISPP15N60CFD

N-ChannelMOSFETTransistor

?DESCRITION ?Ultralowgatecharge ?Highpeakcurrentcapability ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤0.33? ?Enhancementmode ?FastSwitchingSpeed ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

ISPW15N60CFD

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IXFH15N60

HiPerFETPowerMOSFETs

HiPerFETs ThehIPerFETfamilyofPowerMOSFETsisdesignedtoprovicesuperiordv/dt,performancewhileeliminatingtheneedfordiscrete,faserecoveryfreewheelingrectifiersInaboardrangeofpowerswitchingapplications.

IXYS

IXYS Corporation

IXFH15N60

HIPERFETPowerMOSFTETs

HiPerFETs ThehIPerFETfamilyofPowerMOSFETsisdesignedtoprovicesuperiordv/dt,performancewhileeliminatingtheneedfordiscrete,faserecoveryfreewheelingrectifiersInaboardrangeofpowerswitchingapplications.

IXYS

IXYS Corporation

IXFH15N60

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=15A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.5Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D

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無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IXFM15N60

HIPERFETPowerMOSFTETs

HiPerFETs ThehIPerFETfamilyofPowerMOSFETsisdesignedtoprovicesuperiordv/dt,performancewhileeliminatingtheneedfordiscrete,faserecoveryfreewheelingrectifiersInaboardrangeofpowerswitchingapplications.

IXYS

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IXFM15N60

HiPerFETPowerMOSFETs

HiPerFETs ThehIPerFETfamilyofPowerMOSFETsisdesignedtoprovicesuperiordv/dt,performancewhileeliminatingtheneedfordiscrete,faserecoveryfreewheelingrectifiersInaboardrangeofpowerswitchingapplications.

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iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=15A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.5Ω(Max) ·100%avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Switchingapplications

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IXTH15N60

iscN-ChannelMOSFETTransistor

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IXTM15N60

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詳細參數(shù)

  • 型號：

    IGB15N60T

  • 功能描述：

    IGBT 晶體管 LOW LOSS IGBT TECH 600V 15A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 配置：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓：

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    187 W

  • 封裝/箱體：

    TO-247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Infineon(英飛凌)
24+
標準封裝
9048
原廠渠道供應,大量現(xiàn)貨,原型號開票。
 詢價
Infineon(英飛凌)
23+
N/A
12000
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
 詢價
INFINEON
23+
P-TO263-3-2
8600
全新原裝現(xiàn)貨
 詢價
INFINEON
23+
NA
19960
只做進口原裝,終端工廠免費送樣
 詢價
INFINEON
23+
TO-263
11846
一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
 詢價
英飛凌
報價為準
INF
52
國外訂貨7-10個工作日
 詢價
三年內(nèi)
1983
只做原裝正品
 詢價
Infineon(英飛凌)
2447
PG-TO263-3
115000
1000個/圓盤一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,
 詢價
Infineon(英飛凌)
23+
NA
20094
正納10年以上分銷經(jīng)驗原裝進口正品做服務做口碑有支持
 詢價
英飛凌
23+
TO-263
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價
更多IGB15N60T供應商 更新時間2025-5-20 23:00:00

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