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KGF50N60KDA

KECFieldStopTrenchIGBTsofferlowswitchinglosses,highenergyefficiencyandshortcircuitruggedness.

KECKEC CORPORATION

KEC株式會社

KGT50N60KDA

Highspeedswitching

KECKEC CORPORATION

KEC株式會社

NGTB50N60FLWG

InsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

NGTB50N60FWG

InsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

NGTB50N60SWG

IGBT

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

NGTG50N60FLWG

InsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

NGTG50N60FWG

InsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

PJM50N60TE

N-ChannelPowerMOSFET

PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd,

平晶半導體東莞市平晶半導體科技有限公司

RM50N60DF

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

RECTRON

Rectron Semiconductor

RM50N60DFV

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

GeneralFeatures VDS=60V,ID=50A RDS(ON)16mΩ@VGS=10V RDS(ON)20mΩ@VGS=4.5V HighdensitycelldesignforultralowRdson Fullycharacterizedavalanchevoltageandcurrent GoodstabilityanduniformitywithhighEAS Excellentpackageforgoodheatdissipation

RECTRON

Rectron Semiconductor

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IGP50N60T

  • 功能描述：

    IGBT 晶體管 LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 配置：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓：

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    187 W

  • 封裝/箱體：

    TO-247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Infineon(英飛凌)
24+
TO-220
1259
原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務
 詢價
INFINEON
06+
TO-220
6000
原裝正品現(xiàn)貨
 詢價
INFINEON
24+
PG-TO-220-3-1
8866
詢價
INFINEON
23+
PG-TO-220-3-
8600
全新原裝現(xiàn)貨
 詢價
INF
16+
TO-220
10000
全新原裝現(xiàn)貨
 詢價
Infineon
24+
NA
3556
進口原裝正品優(yōu)勢供應
 詢價
INFINEON
23+
NA
19960
只做進口原裝,終端工廠免費送樣
 詢價
INFINEON
23+
TO-220
11846
一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
 詢價
Infineon
1844+
LQFP
9852
只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風險!!
 詢價
INFINEON/英飛凌
24+
TO-220
10
絕對原廠原裝,長期優(yōu)勢可定貨
 詢價
更多IGP50N60T供應商 更新時間2025-5-24 23:01:00

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