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IHW30N100T	文件：360.33 Kbytes Page：12 Pages	Low Loss DuoPack : IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology with anti-parallel diode	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IHW30N100T	文件：318.83 Kbytes Page：12 Pages	Soft Switching Series	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IHW30N100T_08	文件：318.83 Kbytes Page：12 Pages	Soft Switching Series	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IHW30N100TFKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包裝：管件類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單描述：IGBT 1000V 60A 412W TO247-3	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IXFK30N100	文件：328.4 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=30A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.4Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXFX30N100	文件：367.53 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=30A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.4Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconv	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXTB30N100L	文件：97.81 Kbytes Page：5 Pages	PowerMOSFETswithExtendedFBSOA	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTB30N100L	文件：307.25 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=30A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=450mΩ(Max)@VGS=20V APPLICATIONS ·DC-DCConverters ·BatteryChargers ·TemperatureandLightingControls	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXTN30N100L	文件：134.05 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTN30N100L	文件：97.81 Kbytes Page：5 Pages	PowerMOSFETswithExtendedFBSOA	IXYS IXYS Corporation	IXYS

詳細(xì)參數(shù)

型號：
IHW30N100T
功能描述：
IGBT 晶體管 LOW LOSS DuoPack 1000V 30A
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集電極—發(fā)射極最大電壓
VCEO：
650 V
集電極—射極飽和電壓：
2.3 V
柵極/發(fā)射極最大電壓：
20 V 在25
C的連續(xù)集電極電流：
150 A
柵極—射極漏泄電流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封裝/箱體：
TO-247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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