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IKB10N60T中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

IKB10N60T
廠商型號(hào)

IKB10N60T

功能描述

IGBT in TRENCHSTOP and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled HE diode

文件大小

643.39 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

13 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-15 20:00:00

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產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IKB10N60T

  • 功能描述:

    IGBT 晶體管 LOW LOSS DuoPack 600V 10A

  • RoHS:

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor

  • 配置:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓:

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓:

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流:

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    187 W

  • 封裝/箱體:

    TO-247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
INFINEON/英飛凌
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全新原裝現(xiàn)貨
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PG-TO263-3
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原裝現(xiàn)貨支持BOM配單服務(wù)
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Infineon/英飛凌
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