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IMT65R022M1H

Marking：65R022M1；Package：PG-HSOF-8；MOSFET 650 V CoolSiCa M1 SiC Trench Power Device

Features ?Optimizedswitchingbehaviorathighercurrents ?CommutationrobustfastbodydiodewithlowQf ?Superiorgateoxidereliability ?Tj,max=175°Candexcellentthermalbehavior ?LowerRDS(on)andpulsecurrentdependencyontemperature ?Increasedavalanchecapability ?Compatib

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IMT65R022M1H

SiC N-Channel MOSFET

FEATURES ·DrainCurrent-ID=79A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=650V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=42mΩ(Max)@VGS=20V APPLICATIONS ·SwitchModePowerSupply(SMPS) ·UninterruptiblePowerSupply(UPS) ·PowerFactorCorrection(PFC)

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IMT65R022M1HXUMA1

Package：8-PowerSFN；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè) 描述：SILICON CARBIDE MOSFET

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IMBG65R022M1H

650VCoolSiC?M1SiCTrenchPowerDevice

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
Infineon
23+
PG-HSOF-8
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英飛凌優(yōu)勢(shì)渠道全系列在售
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INFINEON/英飛凌
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正規(guī)渠道原裝正品
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原廠授權(quán)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源！
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Infineon(英飛凌)
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nanotec
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原裝鐵帽專營,代理渠道量大可訂貨
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原裝優(yōu)勢(shì)主營型號(hào)-可開原型號(hào)增稅票
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更多IMT65R022M1H供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-5-25 11:01:00

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