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IMT65R260M1H

Marking：65R260M1；Package：PG-HSOF-8；MOSFET 650 V CoolSiCa M1 SiC Trench Power Device

Features ?Optimizedswitchingbehaviorathighercurrents ?CommutationrobustfastbodydiodewithlowQf ?Superiorgateoxidereliability ?Tj,max=175°Candexcellentthermalbehavior ?LowerRDS(on)andpulsecurrentdependencyontemperature ?Increasedavalanchecapability ?Compatib

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IMT65R260M1HXUMA1

Package：8-PowerSFN；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導體產品 晶體管 - FET，MOSFET - 單個 描述：SILICON CARBIDE MOSFET

InfineonInfineon Technologies AG

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IMBG65R260M1H

650VCoolSiC?M1SiCTrenchPowerDevice

InfineonInfineon Technologies AG

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更多IMT65R260M1H供應商 更新時間2025-5-25 11:01:00

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