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IPD023N03LF2S中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IPD023N03LF2S
廠商型號

IPD023N03LF2S

功能描述

MOSFET StrongIRFET? 2 Power?Transistor, 30 V

絲印標(biāo)識

023N03F2

封裝外殼

PG-TO252-3

文件大小

948.9 Kbytes

頁面數(shù)量

13

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-8 22:30:00

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IPD023N03LF2S規(guī)格書詳情

Features

? Optimized for a wide range of applications

? N?channel, logic level

? 100% avalanche tested

? 175°C rated

? Pb?free lead plating; RoHS compliant

? Halogen?free according to IEC61249?2?21

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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