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firstsingle-chip,digital-output,3-axisMEMSgyroICoptimizedforgaming,3Dmice | TDKTDK Corporation TDK株式會(huì)社東電化(中國(guó))投資有限公司 | TDK | ||
N-CHANNELMOSFET | JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司 | JSMC | ||
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N-Channel200V(D-S)MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺(tái)灣)有限公司 | VBSEMI | ||
AdvancedhighcelldenitytrenchtechnologyforultraRDS(ON) | KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd. | KERSEMI | ||
Excellentpackageforgoodheatdissipation. | KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd. | KERSEMI | ||
TRANSISTOR(NPN) TRANSISTOR(NPN) FEATURES ComplementarytoKTA1273 | HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金譽(yù)半導(dǎo)體深圳市金譽(yù)半導(dǎo)體股份有限公司 | HTSEMI |
詳細(xì)參數(shù)
- 型號(hào):
IRF3205ZSTRR
- 功能描述:
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
- RoHS:
否
- 類別:
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列:
HEXFET®
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:
1,000
- 系列:
MESH OVERLAY™ FET
- 型:
MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET
- 特點(diǎn):
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss):
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C:
18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C:
180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的
- Vgs(th)(最大):
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs:
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds:
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大:
40W
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝:
TO-220FP
- 包裝:
管件
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
1503+ |
TO-263 |
3000 |
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詢價(jià) | ||
Vishay Siliconix |
22+ |
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價(jià) | ||
Vishay Siliconix |
23+ |
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
9000 |
原裝正品,支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
Vishay Siliconix |
2022+ |
TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片 |
38550 |
全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷 |
詢價(jià) | ||
原裝正品 |
23+ |
TO-263 |
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25+ |
D2PAK |
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獨(dú)立分銷商 公司只做原裝 誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證 |
詢價(jià) | ||
NK/南科功率 |
2025+ |
TO-263-2 |
986966 |
國(guó)產(chǎn) |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
TO-263 |
11846 |
一級(jí)代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十 |
詢價(jià) | ||
International Rectifier |
2022+ |
1 |
全新原裝 貨期兩周 |
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Infineon Technologies |
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