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LTC3315A	文件：3.15591 Mbytes Page：26 Pages	5V,3ASynchronousStep-DownSilentSwitcherin2mmx2mmLQFN	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
LTC3315A	文件：1.78442 Mbytes Page：28 Pages	5V,15ASynchronousStep-DownSilentSwitcherin3mm×3mmLQFN FEATURES -LayoutCompatiblewithLTC3310/LTC3311Family -SilentSwitcher?Architecture -UltralowEMIEmissions -HighEfficiency:3mΩNMOSand8mΩPMOS -WideBandwidth,FastTransientResponse -SafelyToleratesInductorSaturationinOverload -VINRange:2.25Vto5.5V -VOUTRange:0	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
LTC3315A	文件：2.14377 Mbytes Page：26 Pages	5V,Dual4A/Dual-Phase8AStep-DownDC/DCRegulatorin2.2mm×2.7mmWLCSP FEATURES -Dual4AOutputs -ConfigurableasSingleOutput,2-Phase8ABuck -HighEfficiency:12mΩHigh-Sideand8mΩLow-Side -±1MaximumTotalDCOutputError -WideBandwidth,FastTransientResponse -VINRange:2.25Vto5.5V -VOUTRange:0.5VtoVIN -ProgrammableFrequencyto3MHz	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
LTC3315A	文件：2.55778 Mbytes Page：20 Pages	5V,2ASynchronousStep-DownRegulatorin2mm×2mmFCQFN FEATURES -HighEfficiency:30mΩNMOS,85mΩPMOS -PeakCurrentModeControl -27nsMinimumOn-Time -WideBandwidth,FastTransientResponse -Low-RippleBurstMode?OperationwithIQof80μA -Upto6MHzOperation -SafelyToleratesInductorSaturationinOverload -VINRange:2.25Vto5	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
LTC3315AEV#TRMPBF	文件：1.9564 Mbytes Page：24 Pages	Dual5V,2ASynchronousStep-DownDC/DCsin2mm?2mmLQFN	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
LTC3315AEV#WTRMPBF	文件：1.9564 Mbytes Page：24 Pages	Dual5V,2ASynchronousStep-DownDC/DCsin2mm?2mmLQFN	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
LTC3315AHV#TRMPBF	文件：1.9564 Mbytes Page：24 Pages	Dual5V,2ASynchronousStep-DownDC/DCsin2mm?2mmLQFN	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
LTC3315AHV#WTRMPBF	文件：1.9564 Mbytes Page：24 Pages	Dual5V,2ASynchronousStep-DownDC/DCsin2mm?2mmLQFN	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
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詳細(xì)參數(shù)

型號：
IRF3315STRR
功能描述：
MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK
RoHS：
否
類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列：
HEXFET®
標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
特點(diǎn)：
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
包裝：
管件

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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