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PAW3515DB	文件：69.3 Kbytes Page：4 Pages	USBOPTICALMOUSESINGLECHIP	PixartPixart Imaging Inc. 原相科技原相科技股份有限公司	Pixart
PBSS3515E	文件：128.13 Kbytes Page：12 Pages	15V,0.5APNPlowVCEsat(BISS)transistor Generaldescription PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinanultrasmallSOT416(SC-75)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. Features ■Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ■HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ■Highcollectorcurrentg	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導體公司	nxp
PBSS3515E	文件：110.02 Kbytes Page：11 Pages	15V,0.5APNPlowVCEsat(BISS)transistor Generaldescription PNPlowVCEsatBreakthroughinSmallSignal(BISS)transistorinaSOT416(SC-75)SMDplasticpackage. Features ■Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ■Highcollectorcurrentcapability:ICandICM ■Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC ■Highefficien	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PBSS3515E	文件：243.02 Kbytes Page：13 Pages	15V,0.5APNPlowVCEsat(BISS)transistor Features Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC Highefficiencyduetolessheatgeneration *SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)areathanforconventionaltransistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導體(中國)有限公司	NEXPERIA
PBSS3515F	文件：63.97 Kbytes Page：8 Pages	15VlowVCEsatPNPtransistor DESCRIPTION PNPlowVCEsattransistorinaSC-89(SOT490)plasticpackage. NPNcomplement:PBSS2515F. FEATURES ?Lowcollector-emittersaturationvoltage ?Highcurrentcapabilities ?Improvedthermalbehaviourduetoflatleads. APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandmuting ?Lowf	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PBSS3515M	文件：148.99 Kbytes Page：9 Pages	15V,0.5APNPlowVCEsat(BISS)transistor DESCRIPTION LowVCEsatPNPtransistorinaSOT883leadlessultrasmallplasticpackage. NPNcomplement:PBSS2515M. FEATURES ?Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ?HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ?Highefficiencyleadingtoreducedheatgeneration ?Reducedprinted	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導體公司	nxp
PBSS3515M	文件：353.04 Kbytes Page：10 Pages	15V,0.5APNPlowVCEsat(BISS)transistor FEATURES ?Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ?HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ?Highefficiencyleadingtoreducedheatgeneration ?Reducedprinted-circuitboardrequirements. APPLICATIONS ?Powermanagement: –DC-DCconverter –Supplylineswitching –Batterycharg	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導體(中國)有限公司	NEXPERIA
PBSS3515MB	文件：1.09867 Mbytes Page：12 Pages	15V,0.5APNPlowVCEsat(BISS)transistor	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導體(中國)有限公司	NEXPERIA
PBSS3515VS	文件：68.56 Kbytes Page：12 Pages	15VlowVCEsatPNPdoubletransistor DESCRIPTION PNPlowVCEsatdoubletransistorinaSOT666plasticpackage. NPNcomplement:PBSS2515VS. FEATURES ?300mWtotalpowerdissipation ?Verysmall1.6x1.2mmultrathinpackage ?Selfalignmentduringsolderingduetostraightleads ?Lowcollector-emittersaturationvoltage ?	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PBSS3515VS	文件：309.62 Kbytes Page：9 Pages	15VlowVCE(sat)PNPdoubletransistor DESCRIPTION PNPlowVCEsatdoubletransistorinaSOT666plasticpackage. NPNcomplement:PBSS2515VS. FEATURES ?300mWtotalpowerdissipation ?Verysmall1.6×1.2mmultrathinpackage ?Selfalignmentduringsolderingduetostraightleads ?Lowcollector-emittersaturationvoltage ?	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導體公司	nxp

詳細參數(shù)

型號：
IRF3515STRR
功能描述：
MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK
RoHS：
否
類別：
分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列：
HEXFET®
標準包裝：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
特點：
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
包裝：
管件

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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